添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符1型号页 > 首字符1的型号第668页 > 1N4448W-7-F
SPICE模型： 1N4448W
LEAD -FREE
1N4448W
快速开关表面贴装二极管
特点
开关速度快
表面贴装型封装非常适合自动插入
对于通用开关应用
高电导
无铅/符合RoHS （注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
暗淡
A
B
H
G
D
SOD-123
民
3.55
2.55
1.40
—
0.45
0.25
—
0°
最大
3.85
2.85
1.70
1.35
0.65
—
0.10
8°
机械数据
案例： SOD- 123
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架）
极性：负极频带
标记：日期代码和类型代码：见第3页
类型代码： T5
订购信息见第3页
重量： 0.01克（近似值）
C
A
B
J
C
D
E
G
0.55典型
0.11典型
E
H
J
α
尺寸：mm
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
非重复性峰值反向电压
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流
平均整流输出电流
非重复性峰值正向浪涌电流@ T = 1.0ìs
@ T = 1.0S
功率耗散（注2 ）
热阻结到环境空气（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
O
I
FSM
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
100
75
53
500
250
4.0
2.0
400
315
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
A
mW
° C / W
°C
电气特性
特征
反向击穿电压（注1 ）
正向电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
FM
民
75
0.62
最大
0.72
0.855
1.0
1.25
2.5
50
30
25
4.0
4.0
单位
V
V
A
A
A
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10A
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75V
V
R
= 75V ，T
j
= 150°C
V
R
= 25V ，T
j
= 150°C
V
R
= 20V
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
峰值反向电流（注1 ）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
I
RM
C
T
t
rr
1.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
安装在FR- 4印刷电路板用最小的推荐焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到2部分。
3.没有故意添加铅。
DS12002牧师14 - 2
1第3
www.diodes.com
1N4448W
Diodes公司
500
P
d
，功耗（毫瓦）
100
I
F
，正向电流（mA ）
400
TA = 25°C
10
TA = 50℃
300
200
TA = 85°C
1
TA = 0 ℃，
TA = -30℃
100
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1功率降额曲线
10.0
t
rr
，反向恢复时间（纳秒）
0.1
0
200
400
600
800
1000
V
F
，正向电压（毫伏）
图。 2典型正向特性
2.5
TA = 100℃
2.0
1.0
1.5
TA = 75℃
0.10
TA = 50℃
TA = 25°C
1.0
0.01
TA = -30℃
TA = 0 ℃，
0.5
0
0.001
0
20
40
60
80
V
R
，反向电压（V）的
图。 3典型的反向特性
4
F = 1MHz的
0
2
4
6
8
10
I
F
，正向电流（mA ）
图。 4反向恢复时间 -
正向电流
C
T
，总电容（PF ）
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
V
R
，反向电压（V）的
图。 5总电容与
反向电压
DS12002牧师14 - 2
2 3
www.diodes.com
1N4448W
订购信息
（注4 ）
设备
1N4448W-7-F
注意事项：
包装
SOD-123
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
T5
T5 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
Diodes公司及其附属公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正，修改， enhance-
ments ，改进，或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;
它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担这种风险，所有
使用并同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
坐落在我们的网站产品
www.diodes.com
不推荐用于生命支持系统中使用，其中的一个发生故障或失灵
组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面认可。
DS12002牧师14 - 2
YM
重要通知
3 3
www.diodes.com
1N4448W
1N4448W
快速开关表面贴装二极管
特点
开关速度快
表面贴装型封装非常适合于自动插入
对于通用开关应用
高电导
铅，卤素和无锑，符合RoHS "Green"
设备（注1及2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOD- 123
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成了退火合金引线框架42
（无铅电镀） 。每MIL -STD- 202方法208
极性：负极频带
重量： 0.01克（近似值）
SOD-123
顶视图
订购信息
（注3）
产品型号
1N4448W-7-F
注意事项：
例
SOD-123
包装
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和新构建绿色塑封料。之前的日期代码产品制造
V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
T5 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
T5
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015
J
K
L
M
N
P
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
A
B
C
JAN
1
FEB
2
MAR
3
APR
4
五月
5
JUN
6
JUL
7
八月
8
SEP
9
十月
O
NOV
N
DEC
D
YM
1N4448W
文件编号： DS12002牧师18 - 2
1 4
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
1N4448W
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
非重复性峰值反向电压
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流
平均整流输出电流
非重复峰值正向浪涌电流
符号
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
O
@ T =是1.0μs
@ T = 1.0S
I
FSM
价值
100
75
53
500
250
4.0
1.0
单位
V
V
V
mA
mA
A
热特性
特征
功率耗散（注4 ）
热阻结到环境空气（注4 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
400
315
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向击穿电压（注5 ）
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
FM
民
75
0.62
最大
0.72
0.855
1.0
1.25
2.5
50
30
25
4.0
4.0
单位
V
V
μA
μA
μA
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10μA
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75V
V
R
= 75V ，T
J
= 150°C
V
R
= 25V ，T
J
= 150°C
V
R
= 20V
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100Ω
峰值反向电流（注5 ）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
I
RM
C
T
t
rr
安装在FR- 4印刷电路板用最小的推荐焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com找到4部分。
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
500
400
R
θJA
= 315 ° C / W
I
F
，正向电流（mA）
150
100
P
D
，功耗（毫瓦）
10
300
200
1
100
0
0
25
50
75
100
125
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1功率降额曲线
0.1
0
1,000
400
600
800
200
V
F
，正向电压（MV ）
图。 2典型正向特性
1N4448W
文件编号： DS12002牧师18 - 2
2 4
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
1N4448W
I
R
，瞬时反向电流（ μA ）
10.0
4
C
T
，总电容（PF ）
T
A
= 100
°
C
1.0
3
T
A
= 75
°
C
0.10
T
A
= 50
°
C
T
A
= 25
°
C
2
0.01
T
A
= -30
°
C
T
A
= 0
°
C
1
0.001
0
0
40
60
80
20
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 3典型的反向特性
0
2
3
4
6
5
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 4总电容与反向电压
1
2.5
t
rr
，反向恢复时间（纳秒）
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
I
F
，正向电流（mA ）
图。 5反向恢复时间与正向电流
包装外形尺寸
C
H
B
A
M
L
K
SOD-123
暗淡
民
最大
A
典型值0.55
B
1.40
1.70
C
3.55
3.85
H
2.55
2.85
J
0.00
0.10
K
1.00
1.35
L
0.25
0.40
M
0.10
0.15
0
8°
α
尺寸：mm
1N4448W
文件编号： DS12002牧师18 - 2
3 4
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
1N4448W
拟议的焊盘布局
C
X
Y
G
Z
尺寸值（单位：mm）
Z
4.9
G
2.5
X
0.7
Y
1.2
C
3.7
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上，反对一切损害无害。
Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。
如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害
间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
2010 ， Diodes公司
www.diodes.com
1N4448W
文件编号： DS12002牧师18 - 2
4 4
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
1N4448W
快速开关表面贴装二极管
特点
开关速度快
表面贴装型封装非常适合于自动插入
对于通用开关应用
高电导
铅，卤素和无锑，符合RoHS "Green"
设备（注1及2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOD- 123
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成了退火合金引线框架42
（无铅电镀） 。每MIL -STD- 202方法208
极性：负极频带
重量： 0.01克（近似值）
SOD-123
顶视图
订购信息
（注3）
产品型号
1N4448W-7-F
注意事项：
例
SOD-123
包装
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和新构建绿色塑封料。之前的日期代码产品制造
V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
T5 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
T5
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015
J
K
L
M
N
P
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
A
B
C
JAN
1
FEB
2
MAR
3
APR
4
五月
5
JUN
6
JUL
7
八月
8
SEP
9
十月
O
NOV
N
DEC
D
YM
1N4448W
文件编号： DS12002牧师18 - 2
1 4
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
1N4448W
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
非重复性峰值反向电压
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流
平均整流输出电流
非重复峰值正向浪涌电流
符号
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
O
@ T =是1.0μs
@ T = 1.0S
I
FSM
价值
100
75
53
500
250
4.0
1.0
单位
V
V
V
mA
mA
A
热特性
特征
功率耗散（注4 ）
热阻结到环境空气（注4 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
400
315
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向击穿电压（注5 ）
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
FM
民
75
0.62
最大
0.72
0.855
1.0
1.25
2.5
50
30
25
4.0
4.0
单位
V
V
μA
μA
μA
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10μA
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75V
V
R
= 75V ，T
J
= 150°C
V
R
= 25V ，T
J
= 150°C
V
R
= 20V
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100Ω
峰值反向电流（注5 ）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
I
RM
C
T
t
rr
安装在FR- 4印刷电路板用最小的推荐焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com找到4部分。
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
500
400
R
θJA
= 315 ° C / W
I
F
，正向电流（mA）
150
100
P
D
，功耗（毫瓦）
10
300
200
1
100
0
0
25
50
75
100
125
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1功率降额曲线
0.1
0
1,000
400
600
800
200
V
F
，正向电压（MV ）
图。 2典型正向特性
1N4448W
文件编号： DS12002牧师18 - 2
2 4
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
1N4448W
I
R
，瞬时反向电流（ μA ）
10.0
4
C
T
，总电容（PF ）
T
A
= 100
°
C
1.0
3
T
A
= 75
°
C
0.10
T
A
= 50
°
C
T
A
= 25
°
C
2
0.01
T
A
= -30
°
C
T
A
= 0
°
C
1
0.001
0
0
40
60
80
20
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 3典型的反向特性
0
2
3
4
6
5
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 4总电容与反向电压
1
2.5
t
rr
，反向恢复时间（纳秒）
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
I
F
，正向电流（mA ）
图。 5反向恢复时间与正向电流
包装外形尺寸
C
H
B
A
M
L
K
SOD-123
暗淡
民
最大
A
典型值0.55
B
1.40
1.70
C
3.55
3.85
H
2.55
2.85
J
0.00
0.10
K
1.00
1.35
L
0.25
0.40
M
0.10
0.15
0
8°
α
尺寸：mm
1N4448W
文件编号： DS12002牧师18 - 2
3 4
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
1N4448W
拟议的焊盘布局
C
X
Y
G
Z
尺寸值（单位：mm）
Z
4.9
G
2.5
X
0.7
Y
1.2
C
3.7
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上，反对一切损害无害。
Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。
如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害
间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
2010 ， Diodes公司
www.diodes.com
1N4448W
文件编号： DS12002牧师18 - 2
4 4
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
查看更多1N4448W-7-FPDF信息
推荐型号
1N4448HWT
1N4448HWT-7
1N4448M
1N4448-T
1N4448-TAP
1N4448-TR
1N4448W
1N4448W_
1N4448W_05
1N4448W-7
1N4448WS
1N4448WS_1
1N4448WS-7
1N4448WS-7-F
1N4448WSF
1N4448WSF-7
1N4448WSRR
1N4448WS-T1
1N4448WS-T3
1N4448WS-V
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1N4448W-7-F
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
1N4448W-7-F
DIODES/美台
2418+
5000
SOD-123
正规报关原装现货系列订货技术支持
深圳市川蓝电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ：2801615837 复制

电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
1N4448W-7-F
DIODES
221880
22+21
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ：3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23140719/23915992
联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
1N4448W-7-F
DIODES/美台
24+
68500
NA
一级代理/放心采购
芯惠（深圳）电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881724897 复制

电话：0755-82525087
联系人：肖
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
1N4448W-7-F
SOD-123
21+
8433
1701+
原装现货，特价
深圳市和诚半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1977615742 复制 点击这里给我发消息 QQ：2276916927 复制

电话：18929336553
联系人：陈先生\陈小姐
地址：深圳市龙华区大浪街道龙平社区腾龙路淘金地电子商务孵化基地展滔商业广场E座512
1N4448W-7-F
美台(DIODES)
21+
8000
原厂封装
只做原装正品，深圳现货
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
1N4448W-7-F
DIODES/美台
21+
10000
SOD-123
全新原装正品/质量有保证
上海鑫丰电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
1N4448W-7-F
DIODES/美台
20+
28000
SOD-123
原装正品，价格优势
深圳市恒意法电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1244719342 复制 点击这里给我发消息 QQ：735585398 复制

电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人：朱小姐 刘小姐
地址：深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
1N4448W-7-F
18+
12000
全新原装现货
深圳勤思达科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881239445 复制

电话：0755-83264115
联系人：朱生
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
1N4448W-7-F
代理DIODES
24+
5624
SOD323
全新正品现货可开票
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：800021960 复制
电话：0755-83258002
联系人：林
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
1N4448W-7-F
2015+
5000
公司现货库存,绝对原装正品!
查询更多1N4448W-7-F供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！