UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
12N80
初步
功率MOSFET
12A ， 800V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
12N80
是N沟道增强模式功率
UTC采用的先进技术，为客户提供MOSFET
平面条形和DMOS技术。该技术是专门从事
允许的最小导通电阻和出色的开关
性能。它也可以在雪崩承受高能量脉冲
和减刑模式。
在UTC
12N80
在高效率的开关被普遍应用
模式电源。
1
TO-220
1
TO-220F1
特点
* R
DS （ ON）
= 0.9 @V
GS
= 10 V
*高开关速度
*改进dv / dt能力
* 100 ％的雪崩测试
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
12N80L-TA3-T
12N80G-TA3-T
12N80L-TF1-T
12N80G-TF1-T
注：引脚分配： G：门D：漏极
S：源
包
TO-220
TO-220F1
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-594.b
12N80
参数
初步
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
AR
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
评级
单位
漏源电压
800
V
栅源电压
±30
V
连续（T
C
=25°C)
12
A
漏电流
48
A
脉冲（注2）
雪崩电流（注2）
12
A
TO-220
225
W
功耗
P
D
TO-220F1
51
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220
TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
0.56
2.43
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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2 6
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12N80
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
击穿电压温度系数
△
BV
DSS
/
△
T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
=800V, V
GS
=0V
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
= 640V ，T
C
=125°C
前锋
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
栅源漏电流
I
GSS
反向
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 640V ，我
D
=12A
门源费
Q
GS
（注1,2）
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
R
V
DD
= 400V ，我
D
= 12A ，R
G
=25
（注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 12A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0V时，我
S
= 12A ，二
F
/dt=100A/s
（注1 ）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.基本上是独立工作温度
最小典型最大单位
800
1.0
10
100
100
-100
3.0
0.75
4200
315
90
123
27
49
18
12
51
18
155
45
80
50
50
100
50
12
48
1.4
1000
17.0
5.0
0.9
V
V /°C的
A
nA
nA
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
C
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初步
功率MOSFET
测试电路和波形
同一类型
作为DUT
12V
200nF
50k
V
GS
DUT
3mA
300nF
V
DS
V
GS
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
收费
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
电阻开关测试电路
电阻的开关波形
V
DS
R
G
I
D
BV
DSS
L
I
AS
E
AS
= 1李
AS2
2
BV
DSS
BV
DSS
-V
DD
10V
t
P
DUT
V
DD
V
DD
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
t
P
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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初步
功率MOSFET
测试电路和波形（续）
DUT
R
G
+
V
DS
L
-
I
SD
V
GS
V
DD
司机
同一类型
作为DUT
dv / dt的由R控制
G
I
SD
通过脉冲周期控制
峰值二极管恢复的dv / dt测试电路波形&
V
GS
（驱动程序
)
D=
门脉冲宽度
门脉冲周期
10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ DUT）的
I
RM
体二极管反向电流
V
DS
（ DUT）的
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
SD
V
DD
体二极管正向
电压降
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