UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
12N70
12安培， 700伏
N沟道MOSFET
描述
在UTC
12N70
是N沟道增强型功率
场效应晶体管（ MOSFET），它使用的是产生的UTC的
专有的，平面条形， DMOS技术。
这些器件适用于高效率开关模式
电源。为了最大限度地减少通态电阻，提供出色的
开关性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式，先进的技术有
而特别定制的。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 0.7 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的42 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型25 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
*无铅电镀产品编号： 12N70L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
12N70-TA3-T
12N70L-TA3-T
12N70-TF3-T
12N70L-TF3-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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1 7
QW-R502-220.A
12N70
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
700
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注1 ）
I
AR
12
A
连续漏电流
I
D
12
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
48
A
单脉冲（注2 ）
E
AS
790
mJ
雪崩能量
24
mJ
重复（注1 ）
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
结温
T
J
+150
℃
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
最小典型最大单位
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
700
V
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
10
μA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
±100 nA的
击穿电压温度
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
0.7
V/℃
系数
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
2.0
4.0
V
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.0A
0.55 0.7
动态特性
输入电容
C
国际空间站
1480 1900 pF的
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
输出电容
C
OSS
200 270 pF的
反向传输电容
C
RSS
25
35
pF
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
30
70
ns
V
DD
= 300V ，我
D
= 12A ，R
G
= 25
开启上升时间
t
R
115 240纳秒
（注4,5）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
95 200纳秒
关断下降时间
t
F
85 180纳秒
总栅极电荷
Q
G
42
54
nC
V
DS
= 480V ，我
D
= 12A ，V
GS
= 10 V
栅极 - 源电荷
Q
GS
8.6
nC
（注4,5）
21
nC
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 12A
1.4
V
最大连续漏源二极管
I
S
12
A
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
48
A
正向电流
反向恢复时间
t
RR
380
ns
V
GS
= 0 V，I
S
= 12A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注4 ）
反向恢复电荷
Q
RR
3.5
μC
注： 1 。重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 10MH ，我
AS
= 12A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
ΔBV
DSS
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度。
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QW-R502-220.A
12N70
测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
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QW-R502-220.A
12N70
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
图。 3A栅极电荷测试电路
图。 3B栅极电荷波形
L
V
DS
BV
DSS
I
AS
R
D
V
DD
D.U.T.
t
p
t
p
时间
V
DD
I
D（T）
V
DS （T ）
10V
图。 4A非钳位感应开关测试电路
图。 4B非钳位感应开关波形
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4 6
QW-R502-220.A
12N70
典型特征
上辞职特点
V
GS
15V
1
10V
10
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
下图： 5.5V
10
0
注意事项：
250μs的脉冲测试
T
C
=25℃
10
-1
功率MOSFET
传输特性
TOP ：
10
1
150℃
25℃
10
0
55℃
10
10
漏极 - 源极电压V
GS
(V)
0
1
10
-1
2
注意事项：
1.V
DS
=50V
2.250μs脉冲测试
4
6
8
栅源电压，V
GS
(V)
10
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QW-R502-220.A
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12N70
12A ， 700V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
12N70
是N沟道增强型功率
它使用的是UTC的专利，平面MOSFET生产
条纹， DMOS技术。
这些器件适用于高效率开关模式
电源。为了最大限度地减少通态电阻，提供出色的
开关性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式，先进的技术有
而特别定制的。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 1.0 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的42 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型25 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
12N70L-TA3-T
12N70G-TA3-T
12N70L-TF1-T
12N70G-TF1-T
12N70L-TF3-T
12N70G-TF3-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-220F1
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
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QW-R502-220.D
12N70
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
I
AR
I
D
I
DM
E
AS
E
AR
dv / dt的
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
700
V
栅源电压
±30
V
雪崩电流（注2）
12
A
12
A
连续
漏电流
脉冲（注2）
48
A
790
mJ
单脉冲（注3 ）
雪崩能量
重复的（注2）
24
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
4.5
V / ns的
TO-220
225
° C / W
功耗
P
D
TO-220F/TO-220F1
51
° C / W
结温
T
J
+150
°C
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 10MH ，我
AS
= 12A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
ΔBV
DSS
起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220
TO-220F/TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
等级
62.5
0.56
2.43
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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QW-R502-220.D
12N70
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
= 700 V, V
GS
= 0 V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
击穿电压温度系数
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.0A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
输出电容
C
OSS
F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 300V ，我
D
= 12A,
R
G
= 25Ω （注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 480V ，我
D
= 12A,
栅极 - 源电荷
Q
GS
V
GS
= 10V （注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 12A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0 V，I
S
= 12A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤
2%
2.基本上是独立的工作温度。
功率MOSFET
最小典型最大单位
700
V
10
μA
±100 nA的
0.7
V /°C的
4.0
1.0
V
2.0
0.7
1480 1900 pF的
200 270 pF的
25 35
pF
30 70
115 240
95 200
85 180
42 54
8.6
21
1.4
12
48
380
3.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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QW-R502-220.D
12N70
测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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4 6
QW-R502-220.D
12N70
测试电路和波形（续）
R
L
V
DD
V
DS
V
GS
R
G
10%
t
D（上）
t
R
功率MOSFET
V
DS
90%
10V
脉冲Width≤1μs
值班Factor≤0.1 ％
D.U.T.
V
GS
t
D（关闭）
t
F
切换测试电路
开关波形
12V
50k
0.2μF
0.3μF
同一类型
作为D.U.T.
10V
Q
GS
Q
G
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
GD
V
GS
收费
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
BV
DSS
I
AS
I
D（T）
V
DD
V
DS （T ）
t
p
时间
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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