UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
12N65
12A ， 650V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
12N65
是N沟道增强型功率
场效应晶体管（ MOSFET），这是通过使用产生
UTC专有的，平面条形和DMOS技术。
这些器件适用于高效率开关模式
电源。为了最大限度地减少通态电阻，提供出色的
开关性能和承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式，先进的技术有
而特别定制的。
1
TO-220F
功率MOSFET
1
TO-220
1
TO-220F1
特点
* R
DS （ ON）
= 0.85 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的42 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型25 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
TO-262
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
12N65L-TA3-T
12N65G-TA3-T
12N65L-TF1-T
12N65G-TF1-T
12N65L-TF3-T
12N65G-TF3-T
12N65L-T2Q-T
12N65G-T2Q-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-220F1
TO-220F
TO-262
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1 7
QW-R502-583.B
12N65
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
650
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
12
A
12
A
连续
I
D
漏电流
脉冲（注2）
I
DM
48
A
790
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
24
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
的TO-220 / TO- 262
225
W
功耗
P
D
TO- 220F / TO- 220F1
51
W
结温
T
J
+150
°C
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 10MH ，我
AS
= 12A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
ΔBV
DSS
起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
的TO-220 / TO- 262
结到外壳
TO-220F/TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
等级
62.5
0.56
2.43
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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12N65
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
测试条件
最小典型最大单位
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
650
V
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
= 650 V, V
GS
= 0 V
1
A
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
±100 nA的
击穿电压温度系数
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
0.7
V /°C的
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
2.0
4.0
V
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.0A
0.65 0.85
动态特性
1480 1900 pF的
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
输出电容
C
OSS
200 270 pF的
F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
25
35
pF
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
30
70
ns
开启上升时间
t
R
115 240
ns
V
DD
= 325V ，我
D
= 12A,
R
G
= 25Ω （注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
95 200
ns
关断下降时间
t
F
85 180
ns
42
54
nC
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 520V ，我
D
= 12A,
栅极 - 源电荷
Q
GS
8.6
nC
V
GS
= 10V （注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
21
nC
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 12A
1.4
V
最大连续漏源二极管
I
S
12
A
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
48
A
正向电流
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 12A,
380
ns
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
3.5
C
注：1.脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤
2%
2.基本上是独立的工作温度。
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12N65
测试电路和波形
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
功率MOSFET
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
V
GS
（驱动器）
P.W.
期
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
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12N65
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
切换测试电路
开关波形
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
L
V
DS
BV
DSS
I
AS
R
D
V
DD
D.U.T.
t
p
t
p
时间
V
DD
I
D（T）
V
DS （T ）
10V
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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