- 步进光刻机使用传统的汞灯照明光源2017/5/27 20:49:14 2017/5/27 20:49:14
- 在曝光过程的每一步,这种步进光刻机都会依次把投影掩模板图形通过投影透镜聚焦到硅片下一个位置并重复全部过程。通过继续这个过程,步进光刻机最终会通过连续的曝光步骤把所有芯片阵列复制到硅...[全文]
- 接近式光刻机2017/5/27 20:43:50 2017/5/27 20:43:50
- 接近式光刻机是从接触式光刻机发展而来的,并且在⒛世纪70年代的SSI时代和MSI早期同时普遍使用。M74HC03B1R这些光刻机如今仍然在生产量小的实验室或较老的生产分离器件的硅片生产线中使用,...[全文]
- 接近式曝光2017/5/26 21:15:25 2017/5/26 21:15:25
- 接近式曝光装置示意图如图1019所示。它由4部分组成:光源和透镜系统、掩模板、硅片(样品)及对准台。SDCL1005C1N0STDF汞灯发射的紫外光由透镜变成平行光,平行光通过掩模板后在光刻胶膜...[全文]
- 紫外光曝光技术 2017/5/26 21:12:28 2017/5/26 21:12:28
- 光刻技术可利用可见光(Vi⒍ble)、近紫外光(NcarUkraVolet,NUV)、中紫外光(MidUV,MUV)、深紫外光(DeepUV,DUV)、真空紫光外光(VactttlmUV,VUV...[全文]
- 刻蚀2017/5/24 21:47:48 2017/5/24 21:47:48
- 经过前面的一系列I艺已将光刻掩模板的图形转移到光刻胶上。为了制作集成电路元器件,还HAT2276R-EL-E要将光刻胶上的图形进一步转移到光刻胶下层的材料上。这个任务就通过刻蚀来完成。...[全文]
- 阻挡层一方面起阻挡铜向硅中的扩散作用2017/5/23 21:19:10 2017/5/23 21:19:10
- 在铜互连系统中,阻挡层一方面起阻挡铜向硅中的扩散作用,另一方面与硅、铜都有PM8921良好的附着特性而作为黏附层,解决了铜与硅、二氧化硅附着性差的问题。氮化钛、氮化钽、金属钛、钽这类金属、金属化...[全文]
- CVD金属及金属化合物的进展2017/5/20 22:23:26 2017/5/20 22:23:26
- 从⒛世纪80年代起。随着集ADG508AKRZ-REEL成电路的发展,为满足其多层互连技术的需求,对金属及金属化合物的CV0工艺进行了不断的探索与开发。除了前述的W、WSi:、△N薄膜的C`0工...[全文]
- 无光放电和汤生放电2017/5/19 21:05:31 2017/5/19 21:05:31
- 无光放电和汤生放电,都是以存在自然电离源为前提的,如果不存在自然电离源,则气体放电不会发生,因此,这种放电方式又称为非自持放电。FV曲线的段是辉光放电区。在汤生放电之后,气K4B1...[全文]
- 不同RTA方式所需退火时间与功率密度关系2017/5/17 20:32:41 2017/5/17 20:32:41
- 连续波激光退火过程是固一固外延再结晶过程,使用的能量密度为1~100J/cm2,照射时间约100。由于样R5F3640MDFA品不发生熔化,而且时问又短,因此注人杂质的分布几乎不受任何影响。激光...[全文]
- 影响注人离子分布的其他因素2017/5/15 21:50:11 2017/5/15 21:50:11
- 实际的注人离子浓度分布非常复杂,并不严PH865C12格地服从高斯分布。其中一个重要的影响因素是粒子背散射。将一束高能离子人射到靶片上,人射离子中的一小部分足够靠近靶核(小于104A或1o5A)...[全文]
- 单晶靶中的沟道效应2017/5/15 21:40:15 2017/5/15 21:40:15
- 在非晶靶中,原子不显示长程有序,故人射离子在靶中受到的碰撞过程是随机的。当离子PG905C4RR人射到这种固体时,离子和固体原子相遇的概率是很高的。靶对入射离子的阻止作用是各向同性的,以一定能量...[全文]
- 表面浓度的数值基本上就是扩散温度下杂质在硅中的固溶度2017/5/14 18:37:28 2017/5/14 18:37:28
- 在这三个参数中,结深和方块电阻能方便地测得,而表面浓度的直接测量比较困难,必须采用放射性示踪技术或其他较麻烦的手段。因此,在生产中,常由测量R□和trl来了解扩散层的杂质分布,并通过调节扩散条件...[全文]
- 掺磷硅在湿氧氧化时的氧化层厚度与温度、掺杂浓度的关系2017/5/11 22:48:19 2017/5/11 22:48:19
- 图417所示是掺磷硅在湿氧氧化时的氧化层厚度与温度、掺杂浓度的关系。高温下M1TSVB1SHI磷的分凝效应显著,大部分杂质被分凝到硅中,氧化膜中磷杂质不足以引起加强氧化。而在较低温度下,分凝作用...[全文]
- 在单炉上附加磁场提高了熔体对流的临界瑞利数2017/5/8 20:25:30 2017/5/8 20:25:30
- 普通流体产生对流的临界瑞利数值应大于101,坩埚中熔体硅质量大于10kg时,可以估K9F1208UOC-PCBO算出瑞利数约为107,所以直拉法硅熔体中会产生对流。如果在单晶炉上附加了磁场,可以估算出...[全文]
- 利用万用表的泄漏磁场2017/5/5 20:50:10 2017/5/5 20:50:10
- 选择干簧管触点的电压形式与电流容量选用时可根据实际电路的控制电源选择干簧管触点端电压，P6SMB51AT3确定是选交流电压还是直流电压，以及电压数值。选择的触点电流是指触点闭合时允许通过触点的最...[全文]
- 风云四号(FY-4)卫星2017/5/3 21:47:09 2017/5/3 21:47:09
- 风云四号静止气象卫星(简称FY-4)是中国第二代静止气象卫星,未来的主要发展方向是,M29F040B-70K1增加对地观测的频次和观测区域的机动性,进一步提高短时和短期天气预报的准确率,...[全文]
- 红外凝视系统 2017/5/2 21:15:01 2017/5/2 21:15:01
- 作为红外预警卫星的另一只眼睛红外凝视系统,虽不及前一只眼睛红外扫描系统看得广,M24C02-WBN6但是具有更高精度,使其作用更甚。红外凝视系统采用精确的两维阵列跟踪导弹,可将导弹运动的...[全文]
- 在轨定标2017/5/1 14:20:37 2017/5/1 14:20:37
- 在测量型传感器内参数的定标过程中,所采用的外方位元素一般来自卫星定轨测姿数据。HCF4093M013TR而由星载GPS、星敏感器、陀螺等直接测定或经过一定处理后得到的定轨测姿数据,目前的精度水平...[全文]
- 器件性能和器件可靠性的影响2017/4/30 19:56:08 2017/4/30 19:56:08
- 在这一章中，我们将G3VM-61GR1解释污染对器件工艺、器件性能和器件可靠性的影响，以及芯片生产区域存在的污染类型和主要的污染源。同时，也将对净化间规划、主要的污染控制方法和晶片表面的清洗工艺...[全文]
- 真空( vacuum)也是在半导体工艺中要遇到的术语和情况2017/4/30 19:32:44 2017/4/30 19:32:44
- 气压表示为英磅每平方英寸(psia)，大气压或G20N60RUFD托(Torr)①。一个大气压就是在特定温度下包围地球的大气压力。这样，高压氧化系统在5个大气压下工作，其压力是大气压的5倍。...[全文]
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