- 种子层2017/10/23 21:05:55 2017/10/23 21:05:55
- 种子层材料主要是纯铜,但是随着电路稳定性的挑战性越来越高,一些可以提高铜线定性的铜合金材料也在被评估。种子层的沉积和阻挡层类似,同样都OPA2350EA/2K5需要非常好的填洞能力...[全文]
- 但是过量的反溅射必然会破坏沟槽和通孔的形貌2017/10/23 21:04:03 2017/10/23 21:04:03
- 但是过量的反溅射必然会破坏沟槽和通孔的形貌,会导致粗糙的介质表面,随着介质OPA2348AIDR材料介电常数的降低,材料的孔隙率也呈逐渐增大的趋势,孔隙率越大,结构强度越低,对物理轰击的抵抗力就...[全文]
- 晶圆表面是有负偏压的2017/10/23 21:02:10 2017/10/23 21:02:10
- 除控制人射角之外,利用反溅射(离子轰击基底)的办法也可以提高侧壁覆盖。在等OPA2340EA/2K5离子体环境中,晶圆表面是有负偏压的,通过电容耦合器件可大大增加鞘区电压。晶圆表面偏压对金属离子...[全文]
- 由于铜原子的活性较高2017/10/23 20:53:16 2017/10/23 20:53:16
- 由于铜原子的活性较高,容易在介电材料中扩散,从而引起致命的电迁移失效,尤OPA2277UA/2K6其是当用到低介电常数的介电材料和超低介电常数的介电材料时,铜扩散的问题将更加严重。传统的阻挡材料...[全文]
- TIN制程2017/10/23 20:45:59 2017/10/23 20:45:59
- 受gap伍ll能力的限制,PVDTiN工艺只能用到0,25um,从0.18um开始采用MOCVD工艺,包含薄膜沉积和等离子处理(plasmatreatment)两个步骤,可以多次循环。OPA22...[全文]
- 最后才用磷酸将氮化硅一次性去除2017/10/21 13:19:05 2017/10/21 13:19:05
- 上面提到,也有学者提出通过改善应力膜层自身特性的方法,达到既可以提高NMOS的器件速度,K4T1G164QF-BCE6叉不损伤PMC)S性能的目的[26],这种方法由于可以节省一道光刻和刻蚀工艺...[全文]
- 应力记忆技术 2017/10/21 13:14:22 2017/10/21 13:14:22
- 应力记忆技术(StressMemohzationTechnique,SMT),是90nm技术节点以下兴起的一种着眼于提升NMOS器件速度的应力工程[21J。sMT的特点在于,K4S643232H...[全文]
- 嵌人式碳硅工艺2017/10/21 13:09:51 2017/10/21 13:09:51
- 在上一节中,我们K4S641632K-UC60已经知道嵌人式锗硅源漏工艺通过提高空穴迁移率的方法,在提高PMOS器件的性能上面扮演了重要角色。相应地,嵌入式碳硅源漏工艺可以提高NMOS器件的性能...[全文]
- 应力工程 2017/10/21 12:49:37 2017/10/21 12:49:37
- 传统的CMOS技术通过工艺微缩来提供更好的器件性能和更高的元件密度,从而在K4S561632J-UC75更低的成本下获得更好的系统性能。然而,随着工艺的不断微缩,传统的金属氧化物半导体场效应晶体...[全文]
- RCdelay对器件运算速度的影响 2017/10/21 12:40:33 2017/10/21 12:40:33
- R是连接导线的电阻,其中一些常见金属导体的电阻(单位uΩ・cm)如下:K4J52324KI-HC1AW/Al合金的电阻是4;Al合金的电阻是3;...[全文]
- 晶闸管分单向晶闸管和双向晶闸管两种2017/10/20 21:39:52 2017/10/20 21:39:52
- 晶闸管分单向晶闸管和双向晶闸管两种,都是三个电极。单向晶闸管有阴极(Κ)、阳极(A)、控制极(G)。NC7ST32M5X双向晶闸管等效于两只单向晶问管反向并联而成,即其中一只单向硅阳极与另一只的...[全文]
- 散热器与元器件的安装2017/10/20 21:37:38 2017/10/20 21:37:38
- 元器件的冷却方式有加装散热器自然冷却、风冷和水冷等,为了使元器件充分地发挥其额定性能,NC7SP125P5X并加强使用中的可靠性,除必须科学地选择散热器外还应正确地安装。只有正确地安装散热器才能...[全文]
- 用定时器判断光电耦合器的质量性能电路2017/10/20 21:17:53 2017/10/20 21:17:53
- 由此证明接收管的放大能力比较强。需要说明一点,用DT-830型数字式万用表hFE的插孔测得该器件的九FE〓~sZI6。可见即使采用不同的仪表,而且测试条件存在一定差异,但两个测量结果还是比较接近...[全文]
- 切片的设各:内圆切割机或线切割机。2017/10/20 21:02:18 2017/10/20 21:02:18
- 切片的设各:内圆切割机或线切割机。倒角:将切割好晶片的锐利边修整成圆弧形,以减少晶片边缘的破裂及晶格缺陷的产生。碎削会N2526-6002RB给后面的工艺带来污染。倒...[全文]
- 检查电流互感器是否开路或短路2017/10/19 22:12:29 2017/10/19 22:12:29
- 检查电流互感器是否开路或短路,将示波器接电流互感器线圈两端,看有无瞬间启动脉冲,RC4200AM若无瞬间启动脉冲,则可判断电流互感器有故障。在停电的情况下,用万用表欧姆挡对电流互感器做进一步检查...[全文]
- 对脉冲封锁保护动作进行检查2017/10/19 22:09:48 2017/10/19 22:09:48
- 对脉冲封锁保护动作进行检查,在逆变电路出现故障时,出现过电流或过电压。检RC2951M测电路将过电流或过电压信号检测出来,经过保护控制电路将6路整流触发脉冲相位都移后到α=150°。三相桥式全控...[全文]
- 引入同位化学刻蚀对填充结构轮廓进行调整2017/10/18 21:15:00 2017/10/18 21:15:00
- 所以在90nm以后,为改善物理轰击所造成的问题,引入同位化学刻蚀对填充结构轮廓进行调整,NE5532APSR即在沟槽顶部封口前将其重新打开而不造成再沉积,使得薄膜可以bottomup填满整个沟槽...[全文]
- 不同结构下的电子迁移率 2017/10/18 20:55:59 2017/10/18 20:55:59
- 另外一个问题是器件的电迁移率的降低,这是由于高乃介质的表面声子散射造成的(见图4,9)。NCP1396ADR2G因为高乃介质的高的乃值得益于其偶极性分子结构,但这种分子结构容易产生振动。在和硅的...[全文]
- 刻蚀半导体硅材料层和部分埋入电介质层(BOX),2017/10/17 21:48:54 2017/10/17 21:48:54
- 我们发展了一种栅极将圆柱体沟道全部包围的GAAC全新制作工艺。TAP104K035SCS首先,在SOI衬底上对N型与P型沟道分别进行沟道离子注入掺杂,经光刻图形化,刻蚀半导体硅材料层和部分埋入电...[全文]
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