所以在90nm以后,为改善物理轰击所造成的问题,引入同位化学刻蚀对填充结构轮廓进行调整, NE5532APSR即在沟槽顶部封口前将其重新打开而不造成再沉积,使得薄膜可以bottom up填满整个沟槽。其中NF3的干法刻蚀被认为是一种非常有效的方法。NF3在等离子体中离解形成含氟的活性基团,它可以打断已沉积薄膜中的S⒈0键,形成挥发性的siF1随着多余的02一起被抽走,从而打开沟槽顶部。但是这种单步沉积亥刂蚀-沉积对填充能力的改善是 有限的。

   通过多步循环沉积蚀一沉积来实现对所填充结构轮廓的调整,来降低沟槽填充的难度。这样可以在保持HDP本身填充能力的同时,通过NF3的刻蚀来重新调整沟槽的形状,使得更多的材料可以填充进去,保证沟槽不封口形成孔洞。