稳压二极管又叫齐纳二极管，是一种M1071XUF采用合金法或扩散法制造的硅平面接触型二极管。硅PN结二极管的反向特性是在低电压时（未击穿前），静态电阻极高（约有几兆欧到几十兆欧），只流过极小的恒定电流J。；可当电压达到某值时，反向电流急剧增加，引起击穿，这时的内阻很小，相当于一个恒压源，如图2 - 41所示。这种现象称为齐纳效应，击穿电压Uz称为齐纳电压。

   硅PN结二极管的这种击穿现象是非破坏性击穿，因而具有电压不随电流变化的稳压性质，常用于稳压电路，称之为稳压二极管，其击穿电压Uz即为稳压值。

   稳压值的大小主要取决于二极管中的电阻率，在制造过程中随着在硅片中添加杂质的含量、扩散时间和合金温度的不同，就可以控制电阻率，可制造出几伏到几百伏的稳压二极管。

   图2 - 42为稳压二极管的符号，由于工作在反向击穿状态，因此使用时要反向接人电路，即K接电路高电位，A接低电位。