图2 - 41为稳压二极管的典型伏安特性曲线，主要分三段。当反向电压从O～Uz增加时，M108I稳压=极管的反向电阻很大，反向电流（漏电流）很小，基本为恒定值I。；反向电压达到Uz后，反向电流急剧增加，此时稳压二极管处于反向击穿状态，这时AI变化很大，而AU变化却很小，因此等效交流电阻R=AU/AI很小，一般为几十欧姆到几百欧姆。

   当然，如果反向电流太大，超过允许的最大值，或者稳压二极管的功耗超过允许值，则将发生不可逆转的热击穿，稳压二极管就会烧坏。因此，稳压二极管必须串联一个适当的限流电阻再接入电路使用；正向电压加入时，其特性同硅二极管的正向特性一致。

   目前晶体管理论上一般认为PN结的可逆击穿分为两种。当U。小于6V时为强电场击穿，具有负温度系数；当U。大于6V时为雪崩击穿，具有正温度系数。而U。在6V左右时，两者兼而有之，温度系数近似为零。因此如需稳压值大于9V时，可使用一个稳压二极管与正向二极管串联组合，使二者的温度系数互相抵消，以便温度系数降为零。

   图2 - 43为稳压二极管组成的基本稳压电路，限流电阻R的取值依据下列原则：