输入过压关断功能可使整流后的线电压承受能力
发布时间:2015/1/13 19:31:06 访问次数:575
输入过压关断功能可使整流后的线电压承受能力(在浪涌和线电压陡升期间)达到内部功率MOSFET的额定650BVDSS。
V引脚电流和反馈(FB)引脚电流在内部用来控制LED平均输出电流。M30620AFP对于相位角调光应用,可在参考(R)引脚(R14)和V引脚上分别使用49.9kQ电阻和2MQ(Rl0)电阻,使输入电压和输出电流保持线性关系。这样可在配合可控硅调光器使用时扩大调光范围。
在功率MOSFET的关断时间内,由于漏感的影响,D3、R15和C7将漏极电压钳位到一个安全水平。在C4上的电压(整流后的输入交流电压)降到反射输出电压(在设计表格中为参数VOR)以下时,需要使用二极管D4来防止反向电流流经Ul。
二极管D6、C5、C9、R20和R19对Ul进行初级偏置供电,能量来自变压器的辅助绕组。电阻R20提供滤波,以使偏置电压密切跟踪输出电压,从而使输出电流在LED电压发生变化时保持恒定。电阻R19用于在输出短路条件下对C9放电。
电容C8时Ul的旁路(BP)引脚进行局部去耦,该引脚是内部控制器的供电引脚。在启动期间,C8从与D引脚相连的内部高压电流源被充电至约6V。充电完成后,Ul开始开关,器件的供电电流再由偏置供电经过R17提供。建议使用外部偏置供电(通过D5和R17)以实现最低的器件功耗,并在深度调光情况下向Ul提供足够的电源。电容C8同时用来选择输出功率模式,选择47yF(低功率模式)可以将器件功耗减至最低,降低对散热片的要求。
输入过压关断功能可使整流后的线电压承受能力(在浪涌和线电压陡升期间)达到内部功率MOSFET的额定650BVDSS。
V引脚电流和反馈(FB)引脚电流在内部用来控制LED平均输出电流。M30620AFP对于相位角调光应用,可在参考(R)引脚(R14)和V引脚上分别使用49.9kQ电阻和2MQ(Rl0)电阻,使输入电压和输出电流保持线性关系。这样可在配合可控硅调光器使用时扩大调光范围。
在功率MOSFET的关断时间内,由于漏感的影响,D3、R15和C7将漏极电压钳位到一个安全水平。在C4上的电压(整流后的输入交流电压)降到反射输出电压(在设计表格中为参数VOR)以下时,需要使用二极管D4来防止反向电流流经Ul。
二极管D6、C5、C9、R20和R19对Ul进行初级偏置供电,能量来自变压器的辅助绕组。电阻R20提供滤波,以使偏置电压密切跟踪输出电压,从而使输出电流在LED电压发生变化时保持恒定。电阻R19用于在输出短路条件下对C9放电。
电容C8时Ul的旁路(BP)引脚进行局部去耦,该引脚是内部控制器的供电引脚。在启动期间,C8从与D引脚相连的内部高压电流源被充电至约6V。充电完成后,Ul开始开关,器件的供电电流再由偏置供电经过R17提供。建议使用外部偏置供电(通过D5和R17)以实现最低的器件功耗,并在深度调光情况下向Ul提供足够的电源。电容C8同时用来选择输出功率模式,选择47yF(低功率模式)可以将器件功耗减至最低,降低对散热片的要求。
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