采用抽头降压拓扑结构的非隔离
发布时间:2015/1/8 21:15:50 访问次数:926
一个使用LinkSwitch-II器件LNK605DG设计的通用输入12V、350mA恒压/恒流LED驱动电路‘踟如图1.2.12所示,采用抽头电感非隔离降压转换器结构。
图1.2.12采用抽头降压拓扑结构的非隔离350mA、12V LED驱动电 抽头ADS8345NB降压拓扑结构非常适合设计输入电压与输出电压比值较高的转换器,可以对输出提供电流倍增,从而能够在要求输出电流是器件电流限值两倍多的应用中使用这种新的降压拓扑结构。
采用这种拓扑结构的转换器与隔离反激式转换器相比,其PCB尺寸更小、电感磁芯尺寸更小、效率更高(最差负载条件下为80%)。由于产生的共模噪声小,因此可简他EMI滤波设计。
这种拓扑结构通常需要在初级侧使用一个钳位电路。不过,由于Ul中集成了700VMOSFET,因此可以省去钳位电路。集成电路Ul内含700V MOSFET功率开关器件、振荡器、高度集成的CC/CV控制引擎以及启动和保护功能。MOSFET功率开关器件能够为包括输入浪涌在内的通用输入交流应用提供充足的电压裕量。 ”
在图1.2.12所示电路中,二极管D3、D4、D5和D6对交流输入进行整流,然后大容量电容C4和C5则对经整流的交流电进行滤波。电感Ll与C4和C5 -起组成一个兀形滤波器,对差模传导EMI噪声进行衰减。这个设计能够轻松满足EN55015 B级传导EMI要求,而且 裕量为lOdB。可熔防火电阻RF1提供故障保护。
一个使用LinkSwitch-II器件LNK605DG设计的通用输入12V、350mA恒压/恒流LED驱动电路‘踟如图1.2.12所示,采用抽头电感非隔离降压转换器结构。
图1.2.12采用抽头降压拓扑结构的非隔离350mA、12V LED驱动电 抽头ADS8345NB降压拓扑结构非常适合设计输入电压与输出电压比值较高的转换器,可以对输出提供电流倍增,从而能够在要求输出电流是器件电流限值两倍多的应用中使用这种新的降压拓扑结构。
采用这种拓扑结构的转换器与隔离反激式转换器相比,其PCB尺寸更小、电感磁芯尺寸更小、效率更高(最差负载条件下为80%)。由于产生的共模噪声小,因此可简他EMI滤波设计。
这种拓扑结构通常需要在初级侧使用一个钳位电路。不过,由于Ul中集成了700VMOSFET,因此可以省去钳位电路。集成电路Ul内含700V MOSFET功率开关器件、振荡器、高度集成的CC/CV控制引擎以及启动和保护功能。MOSFET功率开关器件能够为包括输入浪涌在内的通用输入交流应用提供充足的电压裕量。 ”
在图1.2.12所示电路中,二极管D3、D4、D5和D6对交流输入进行整流,然后大容量电容C4和C5则对经整流的交流电进行滤波。电感Ll与C4和C5 -起组成一个兀形滤波器,对差模传导EMI噪声进行衰减。这个设计能够轻松满足EN55015 B级传导EMI要求,而且 裕量为lOdB。可熔防火电阻RF1提供故障保护。
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