反向击穿区。当=极管上外加的反向电压高到一定值时，有可能因外加的电场过强而把被束缚在PN结中的电子强行拉出，使少数载流子数目剧增，P4KE110A也可能由于强电场引起电子与原子碰撞，产生大量新的载流子，这两种因素都会引起反向电流的急剧增大，称为电击穿，这时二极管的工作状态就进入了反向击穿区，即图3 - 25中的CD段。

   二极管开始出现电击穿的电压叫做反向击穿电压，不同二极管特性曲线是不同的，下面是几种二极管特性曲线的比较。

   图3 - 28 (a)为锗二极管2AP1、2AP4、2AP24的伏安特性曲线，从这三条曲线上可以看出：它们的死区电压和反向电流都大致相等；在加同样的正向电压时，2AP23的正向电流大，2AP1的正向电流小，2AP4的正向电流中等；2AP4的反向击穿电压高，2API的

反向击穿电压低，2AP23的反向击穿电压中等。图3-28 (b)为几种硅二极管2CP1、2CP2和2CPIA特性曲线的比较。