绝缘栅场效应管特性曲线。P4KE160A为了获得更高的输入电阻和便于制作集成电路，又出现了将栅极绝缘的另一种场效应管——绝缘栅场效应管，绝缘栅场效应管的内部结构与结型场效应管结构主要不同处在于它的栅极是从二氧化硅上引出，栅极与源、漏极是绝缘的，绝缘栅场效应管也因此得名。

   绝缘栅(MOS)场效应管有耗尽型和增强型之分。当UGs =0时，源漏之间就存在导电沟道的，称为耗尽型场效应管；如果必须在I UGSl>O酌情况下才存在导电沟道的，则称为增强型场效应管。因此，绝缘栅场效应管有N沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道耗尽型、P沟道增强型四种不同的类型。

   图3 - 37 (a)所示是四种MOS场效应管的输出特性曲线，图3- 37 (b)所示是四种MOS场效应管的转移特性曲线。

   从图3 - 37 (a)、图3- 37 (b)可以看到，N沟道MOS场效应管和P沟道MOS场效应管的主要差别就是它们正常工作所需偏压的正、负极性正好相反，它们输出电流的方向也正好相反，它们的特性曲线正好完全倒了过来，电压和电流的符号完全相反。

   从图3 - 37 (b)中还可以看到，增强型MOS场效应管只有加上一定栅压时，管子才导通，这个栅压叫阈电压UT。

   由于绝缘栅场效应管栅极是绝缘的，故输入电流几乎为零，输入电阻极高，一般在l012Q 以上，比结型场效应管要高几个数量级。但这也带来一些麻烦由于栅极绝缘，栅漏极反向电流极小，栅漏结相当于一个具有非常大电阻的电容器，若用一外壳没有接地的电烙铁或用手碰一下管脚，就能使栅漏结被感应充电，充电电压足以超过击穿电压，使管子被烧毁。

   所以，对于MOS场效应管要拿它的外壳，切勿拿它的管脚；存放管子时必须将管脚拧在一起，或用金属环将所有管脚短路。不过，最近出现了在管内加有保护二极管的MOS场效应管，使用时可与结型场效应管一样方便。