电压B UBo、BUCE【，、BUc ES、BUc ER称为晶体管的击穿电压，四种晶体管击穿电压分别介绍如下：

   (1) BUBo。BUo为发射极开路时， HAT2158T集电极与基极间的击穿电压。如图2- 66 (b)所示，当集电极和基极间加反向电压UCB时，集电极反向电流为ICE,O。反向电压在一定范围内变化时，I。m基本上保持不变。但当UCB增加到一定值时，反向电流急剧上升，此现象称为击穿现象。这时的反向电压就以B Uo表示。

   (2) BUCEO。BUCEO为基极开路时，集电极与发射极间的击穿电压。如图2- 66 (b)所示，当UCE超过一定值时，ICF,O急剧上升，此时反向电压以BUc EO表示。

   (3) BUCFJS。BUcES为基极和发射极短路时，集电极与发射极间的击穿电压，如图2- 67(a)所示，当UCE超过一定值时，ICES将急剧上升，此时反向电压以BUc磷表示。

   (4) BUCER。BUc ER为基极和发射极接有电阻R时，集电极与发射极间的击穿电压。同上面一样，如图2 - 67 (b)所示，当UCE超过一定值时，ICER急剧上升，此时的反向电压以B UER表示。

   通过了解晶体管击穿原理，可以了解上述四种晶体管击穿电压之间的关系。例如，PNP型管的击穿电压B UcBO，就是当形成反向电流ICBO的集电区的电子和基区的空穴，在通过集电结的过程中碰撞集电结中的原子，一个载流子（电子或空穴）可以撞出原子最外层轨道上的电子，结果产生一对新的载流子，这时新的载流子又继续碰撞其他原子，如同雪崩一样使电流发生剧增，称为雪崩击穿。发生这种现象时的UCB就是BUa30。

   由于ICBO<ICES<ICER<ICEO．显然底数比较大的反向电流，达到雪崩击穿时的击穿电压自然比较小，因此存在着B UCB()>BUCES>B UCER>B UCEO的关系。