霍尔式传感器是利用半导体材料的霍尔效应进行测量的一种传感器。根据霍尔效应制成的霍尔元件是其核心，因而霍尔式传感器是由霍尔元件及相关测量电路共同构成的一种测量装置。它可以直接测量磁场及微位移量，SFH615AGR-X017也可以间接测量液位高低、压力大小等工业生产过程参数。

   霍尔元伴的基本工作原理

   霍尔元件也可以称为霍尔式传感器，是利用霍尔效应原理将被测量（如电流、磁场、位移及压力等）转换成电动势的一种传感器。

   霍尔效应

   若将金属或半导体薄片垂直置于磁感应强度为B的磁场中，如图3-34所示，当垂直磁场方向上有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH，这种物理现象称为霍尔效应。

   霍尔效应的产生，是由于运动电荷受洛伦兹力作用的结果。如在N型半导体薄片的控制电流端通以电流I，那么半导体中的载流子（电子）将沿着和电流相反的方向运动。若在垂直于半导体薄片平面的方向上加以磁场B，则由于洛伦兹力FL的作用，电子向一边偏转（见图中虚线方向），并使该边形成电子积累；而另一边则积累正电荷，于是产生电场。该电场阻止运动电子的继续偏转。当电场作用在运动电子上的力FE与洛仑兹力FL相等时，电

子的积累便达到动态平衡。这时，在薄片两横端面之间建立的电场称为霍尔电场EH，相应的电势就称为霍尔电势UH.