对整个系统进行故障诊断与排除
发布时间:2013/11/3 15:36:42 访问次数:662
对整个系统进行故障诊断与排除
对于下述的相对于地的每一个测量，如果故障读数如下，P8798确定最可能的原因。参阅图16.72。
①测试点l上无电压。
②测试点2上无电压。
③测试点2上的电压以120 Hz的频率在OV到大约5V之间变化。
④测试点2上有一个近似7.8V的恒定直流电压。
⑤测试点2上有一个近似4.3V的恒定直流电压。
⑥测试点4上为一个悬空电平。
⑦在发射器和检测器之间无光遮断期间，测试点4上的电压近似为5.1 V。
⑧测试点4上为一个OV的电压。
系统中所用到的所有类型的二极管。
发射机电路板上的电阻R。的作用是什么？
要将直流电压变到8.2 V，虚该怎么做？
LED发射连续的红外线还是断续光线？
光电二极管的作用是什么？
向本征（纯净）半导体中添加杂质以提高与控制导电性的过程叫做掺杂。
p型半导体是用三价杂质原子进行掺杂。
n型半导体是用五价杂质原子进行掺杂。
耗尽区是靠近pn结没有多数载流子的区域。
正向偏置让多数载流子流过二极管。
反向偏置阻止多数载流子电流。
半波整流器中的单一二极管在输入信号的半个周期中导电。
半波整流器的输出频率等于输入信号的频率。
经过半波整流的信号的平均（直流）值是其输入峰值的0. 318倍或l／7r倍。
PIV是处于反向偏置状态的二极管两端的最大电压。
在全波整流器中，在输入信号的每半个周期内，有一个二极管导通。
全波整流器的输出频率是输入信号频率的两倍。
全波整流器的基本类型是中间抽头式和桥式整流器。
中间抽头式全波整流器的输出电压近似等于总次级绕组电压的一半。
中间抽头式全波整流器中的每一个二极管的PIV是输出电压的2倍。
桥式整流器的输出电压等于次级绕组的总电压。
桥式整流器中的每个二极管的PIV是中问抽头式全波整流器二极管的PIV的一半，近似等于峰值输出电压。
电容输入滤波器的输出电压近似等于输入电压的峰值。
纹波电压是由滤波电容器的充放电引起的。
纹波越小，滤波器越好。
在一定的输入电压范围内对输出电压进行稳压称为输入调整率或线电压调整率。
在一定的负载电流范围内对输出电压进行稳压称为负载调整率。
齐纳二极管工作于反向击穿状态。
当Vz<5 V时，齐纳击穿占主导地位。
当vz>5 V时，雪崩击穿占主导地位。
在一个特定的齐纳电流范围内，齐纳二极管的两个管脚之间实际上是保持一个恒定的电压。
齐纳二极管可用于在各种应用中作为电压参考。
在反向偏置条件下，变容二极管起可变电容器的作用。
变容二极管的电容与反向偏压的大小成反比。
对于下述的相对于地的每一个测量，如果故障读数如下，P8798确定最可能的原因。参阅图16.72。
①测试点l上无电压。
②测试点2上无电压。
③测试点2上的电压以120 Hz的频率在OV到大约5V之间变化。
④测试点2上有一个近似7.8V的恒定直流电压。
⑤测试点2上有一个近似4.3V的恒定直流电压。
⑥测试点4上为一个悬空电平。
⑦在发射器和检测器之间无光遮断期间，测试点4上的电压近似为5.1 V。
⑧测试点4上为一个OV的电压。
系统中所用到的所有类型的二极管。
发射机电路板上的电阻R。的作用是什么？
要将直流电压变到8.2 V，虚该怎么做？
LED发射连续的红外线还是断续光线？
光电二极管的作用是什么？
向本征（纯净）半导体中添加杂质以提高与控制导电性的过程叫做掺杂。
p型半导体是用三价杂质原子进行掺杂。
n型半导体是用五价杂质原子进行掺杂。
耗尽区是靠近pn结没有多数载流子的区域。
正向偏置让多数载流子流过二极管。
反向偏置阻止多数载流子电流。
半波整流器中的单一二极管在输入信号的半个周期中导电。
半波整流器的输出频率等于输入信号的频率。
经过半波整流的信号的平均（直流）值是其输入峰值的0. 318倍或l／7r倍。
PIV是处于反向偏置状态的二极管两端的最大电压。
在全波整流器中，在输入信号的每半个周期内，有一个二极管导通。
全波整流器的输出频率是输入信号频率的两倍。
全波整流器的基本类型是中间抽头式和桥式整流器。
中间抽头式全波整流器的输出电压近似等于总次级绕组电压的一半。
中间抽头式全波整流器中的每一个二极管的PIV是输出电压的2倍。
桥式整流器的输出电压等于次级绕组的总电压。
桥式整流器中的每个二极管的PIV是中问抽头式全波整流器二极管的PIV的一半，近似等于峰值输出电压。
电容输入滤波器的输出电压近似等于输入电压的峰值。
纹波电压是由滤波电容器的充放电引起的。
纹波越小，滤波器越好。
在一定的输入电压范围内对输出电压进行稳压称为输入调整率或线电压调整率。
在一定的负载电流范围内对输出电压进行稳压称为负载调整率。
齐纳二极管工作于反向击穿状态。
当Vz<5 V时，齐纳击穿占主导地位。
当vz>5 V时，雪崩击穿占主导地位。
在一个特定的齐纳电流范围内，齐纳二极管的两个管脚之间实际上是保持一个恒定的电压。
齐纳二极管可用于在各种应用中作为电压参考。
在反向偏置条件下，变容二极管起可变电容器的作用。
变容二极管的电容与反向偏压的大小成反比。
对整个系统进行故障诊断与排除
对于下述的相对于地的每一个测量，如果故障读数如下，P8798确定最可能的原因。参阅图16.72。
①测试点l上无电压。
②测试点2上无电压。
③测试点2上的电压以120 Hz的频率在OV到大约5V之间变化。
④测试点2上有一个近似7.8V的恒定直流电压。
⑤测试点2上有一个近似4.3V的恒定直流电压。
⑥测试点4上为一个悬空电平。
⑦在发射器和检测器之间无光遮断期间，测试点4上的电压近似为5.1 V。
⑧测试点4上为一个OV的电压。
系统中所用到的所有类型的二极管。
发射机电路板上的电阻R。的作用是什么？
要将直流电压变到8.2 V，虚该怎么做？
LED发射连续的红外线还是断续光线？
光电二极管的作用是什么？
向本征（纯净）半导体中添加杂质以提高与控制导电性的过程叫做掺杂。
p型半导体是用三价杂质原子进行掺杂。
n型半导体是用五价杂质原子进行掺杂。
耗尽区是靠近pn结没有多数载流子的区域。
正向偏置让多数载流子流过二极管。
反向偏置阻止多数载流子电流。
半波整流器中的单一二极管在输入信号的半个周期中导电。
半波整流器的输出频率等于输入信号的频率。
经过半波整流的信号的平均（直流）值是其输入峰值的0. 318倍或l／7r倍。
PIV是处于反向偏置状态的二极管两端的最大电压。
在全波整流器中，在输入信号的每半个周期内，有一个二极管导通。
全波整流器的输出频率是输入信号频率的两倍。
全波整流器的基本类型是中间抽头式和桥式整流器。
中间抽头式全波整流器的输出电压近似等于总次级绕组电压的一半。
中间抽头式全波整流器中的每一个二极管的PIV是输出电压的2倍。
桥式整流器的输出电压等于次级绕组的总电压。
桥式整流器中的每个二极管的PIV是中问抽头式全波整流器二极管的PIV的一半，近似等于峰值输出电压。
电容输入滤波器的输出电压近似等于输入电压的峰值。
纹波电压是由滤波电容器的充放电引起的。
纹波越小，滤波器越好。
在一定的输入电压范围内对输出电压进行稳压称为输入调整率或线电压调整率。
在一定的负载电流范围内对输出电压进行稳压称为负载调整率。
齐纳二极管工作于反向击穿状态。
当Vz<5 V时，齐纳击穿占主导地位。
当vz>5 V时，雪崩击穿占主导地位。
在一个特定的齐纳电流范围内，齐纳二极管的两个管脚之间实际上是保持一个恒定的电压。
齐纳二极管可用于在各种应用中作为电压参考。
在反向偏置条件下，变容二极管起可变电容器的作用。
变容二极管的电容与反向偏压的大小成反比。
对于下述的相对于地的每一个测量，如果故障读数如下，P8798确定最可能的原因。参阅图16.72。
①测试点l上无电压。
②测试点2上无电压。
③测试点2上的电压以120 Hz的频率在OV到大约5V之间变化。
④测试点2上有一个近似7.8V的恒定直流电压。
⑤测试点2上有一个近似4.3V的恒定直流电压。
⑥测试点4上为一个悬空电平。
⑦在发射器和检测器之间无光遮断期间，测试点4上的电压近似为5.1 V。
⑧测试点4上为一个OV的电压。
系统中所用到的所有类型的二极管。
发射机电路板上的电阻R。的作用是什么？
要将直流电压变到8.2 V，虚该怎么做？
LED发射连续的红外线还是断续光线？
光电二极管的作用是什么？
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p型半导体是用三价杂质原子进行掺杂。
n型半导体是用五价杂质原子进行掺杂。
耗尽区是靠近pn结没有多数载流子的区域。
正向偏置让多数载流子流过二极管。
反向偏置阻止多数载流子电流。
半波整流器中的单一二极管在输入信号的半个周期中导电。
半波整流器的输出频率等于输入信号的频率。
经过半波整流的信号的平均（直流）值是其输入峰值的0. 318倍或l／7r倍。
PIV是处于反向偏置状态的二极管两端的最大电压。
在全波整流器中，在输入信号的每半个周期内，有一个二极管导通。
全波整流器的输出频率是输入信号频率的两倍。
全波整流器的基本类型是中间抽头式和桥式整流器。
中间抽头式全波整流器的输出电压近似等于总次级绕组电压的一半。
中间抽头式全波整流器中的每一个二极管的PIV是输出电压的2倍。
桥式整流器的输出电压等于次级绕组的总电压。
桥式整流器中的每个二极管的PIV是中问抽头式全波整流器二极管的PIV的一半，近似等于峰值输出电压。
电容输入滤波器的输出电压近似等于输入电压的峰值。
纹波电压是由滤波电容器的充放电引起的。
纹波越小，滤波器越好。
在一定的输入电压范围内对输出电压进行稳压称为输入调整率或线电压调整率。
在一定的负载电流范围内对输出电压进行稳压称为负载调整率。
齐纳二极管工作于反向击穿状态。
当Vz<5 V时，齐纳击穿占主导地位。
当vz>5 V时，雪崩击穿占主导地位。
在一个特定的齐纳电流范围内，齐纳二极管的两个管脚之间实际上是保持一个恒定的电压。
齐纳二极管可用于在各种应用中作为电压参考。
在反向偏置条件下，变容二极管起可变电容器的作用。
变容二极管的电容与反向偏压的大小成反比。
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