在基极电流ie为确定值时，VCE与ic之间为龟一常数，XC2C64A-7QFG48C其关系曲线称为三极管输出特性曲线。输出特性曲线同样可采用查找半导体器件手册和用“晶体管特性图示仪”测量等方法获得。图1.3.6所示即为ZB取不同值时，NPN型硅管的输出特性曲线簇。由图中的任意一条曲线可以看出，在坐标原点处随着VCE的增大，ic跟着增大。当VCE大于1V以后，无论VC,E怎样变化，zc几乎不变，曲线与横轴接近平行。这说明三极管具有恒流特性。通常把三极管输出特性曲线簇分为3个区域，这3个区域对应着三极管3种不同的工作状态。
    (1)放大区
    输出特性曲线平坦部分的区域是放大区。工作在放大区的三极管发射结处于正向偏置（大于导通电压），集电结处于反向偏置。ic与ie成比例增长，即/。有一个微小变化，ic将按比例发生较大变化，体现了三极管的电流放大作用。在垂直于横轴方向作一直线，从该直线上找出ic的变化量Ac和与之对应的is变化量A如，即可求出三极管的电流放大系数p= A/C/A/B，这些曲线越平坦，间距越均匀，则三极管线性越好。在相同的△如下，曲线间距越大，则口值越大。

              
    (2)饱和区
    输出特性曲线簇起始部分的区域是饱和区。三极管工作在这个区域时，VCF:很低，VCE<V脓，集电结处于正向偏置，发射结也处于正向偏置。在这个区域。不受ZB控制，三极管失去电流放大作用。其集电极与发射极之间电压称为三极管饱和压降，记为V CES。对于NPN型（硅）管VCFS—o3V，PNP型（锗）管I VCESl =0.1V。
    (3)截止区
    那条输出特性曲线以下的区域为截止区。要使ie=0，发射结电压VBE -定要小于导通电压，为了保证可靠截止，常使发射结处于反向偏置，集电结也处于反向偏置。由图可见，zc≠0，还有很小的集电极电流，称为穿透电流，记为ICEO。硅管ICEO很小，在几微安以下；锗管稍大些，为几十微安到几百微安。