石英晶体阻抗特性
发布时间:2013/9/24 20:04:50 访问次数:4665
石英晶体的主要参数有标称频率、负载电容、激励电平、工作温度范围及温度频差等。NCP5500DADJR2G其中,标称频率厶是在规定的负载电容下晶振元件的振荡频率即为标称频率fo。标称频率是晶体技术条件中规定的频率,通常标识在产品外壳上。需要注意的是,晶体外壳所标注的频率,既不是串联谐振频率,也不是并联谐振频率,而是在外接负载电容时测定的频率,数值介于串联谐振频率与并联谐振频率之间。所以即使两个晶体外壳所标注的频率一样,其实际频率也会有些偏差(工艺引起的离散性)。例如,彩色副载波恢复振荡器用晶体谐振器的标称频率有4. 43MHz(PAL制)和3.58MHz(NTSC制)等;遥控发射器中使用的石英晶体谐振嚣的标称频率有455kHz、480kHz、429MHz、500MHz和560MHz等;微处理器用晶体谐振器的标称频率一般为500kHz和1、4、4.5、8、10MHz等几种。
负载电容CL是指晶体组成振荡电路时所需配接的外部电容。负载电容CL是参与决定振荡频率的因数之一,在规定的CL下晶体的振荡频率即为标称频率五。使用晶体时必须按要求接人规定的CL,才能保证振荡频率符合该晶体的标称频率。
激励电平是指晶体正常工作时所消耗的有效功率,常用的标称值有20yW、50 p4W、0.ImW、0.5mW、ImW、2mW等。激励电平的大小关系到电路工作的稳定度和可靠性。激励电平过大会使频率稳定度下降,甚至造成晶体损坏;激励电平过小会使振荡幅度变小和不稳定,甚至不能起50%—100%激励电平控制在其标称值的50%~100%。石英晶体具有串联和并联两种谐振现象。构成振荡电路的形式尽管多种多样,但其基本电路只有两类,即并联晶体振荡器和串联晶体振荡器,前者石英晶体是以并联谐振的形式出现而后者则是以串联晶体阻抗特性如图2—100所示。
石英晶体的主要参数有标称频率、负载电容、激励电平、工作温度范围及温度频差等。NCP5500DADJR2G其中,标称频率厶是在规定的负载电容下晶振元件的振荡频率即为标称频率fo。标称频率是晶体技术条件中规定的频率,通常标识在产品外壳上。需要注意的是,晶体外壳所标注的频率,既不是串联谐振频率,也不是并联谐振频率,而是在外接负载电容时测定的频率,数值介于串联谐振频率与并联谐振频率之间。所以即使两个晶体外壳所标注的频率一样,其实际频率也会有些偏差(工艺引起的离散性)。例如,彩色副载波恢复振荡器用晶体谐振器的标称频率有4. 43MHz(PAL制)和3.58MHz(NTSC制)等;遥控发射器中使用的石英晶体谐振嚣的标称频率有455kHz、480kHz、429MHz、500MHz和560MHz等;微处理器用晶体谐振器的标称频率一般为500kHz和1、4、4.5、8、10MHz等几种。
负载电容CL是指晶体组成振荡电路时所需配接的外部电容。负载电容CL是参与决定振荡频率的因数之一,在规定的CL下晶体的振荡频率即为标称频率五。使用晶体时必须按要求接人规定的CL,才能保证振荡频率符合该晶体的标称频率。
激励电平是指晶体正常工作时所消耗的有效功率,常用的标称值有20yW、50 p4W、0.ImW、0.5mW、ImW、2mW等。激励电平的大小关系到电路工作的稳定度和可靠性。激励电平过大会使频率稳定度下降,甚至造成晶体损坏;激励电平过小会使振荡幅度变小和不稳定,甚至不能起50%—100%激励电平控制在其标称值的50%~100%。石英晶体具有串联和并联两种谐振现象。构成振荡电路的形式尽管多种多样,但其基本电路只有两类,即并联晶体振荡器和串联晶体振荡器,前者石英晶体是以并联谐振的形式出现而后者则是以串联晶体阻抗特性如图2—100所示。
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