场效应管也VT，栅G源s漏极D，
    常有结型与MOS，沟道还分N与P，
    MOS管性格娇，保管焊接要心细。
    场管、晶管不相同，晶流、场压来控制，
    主要参数有9项，交流、直流两大类，
    开启电压、夹断压，饱和电流指漏极，
    漏极电压、输入阻，功耗、极流看漏极，
    导通电阻与跨导，也要了解和熟悉。
    伏安曲线有两种，输出特性与转移。
    场效应晶体管（简称场效应管）是一种高输入阻抗电压控制型半导体器件，NC7SZ08P5X其文字符号也为VT。场效应管一般具有3个极，即栅极G、源极S和漏极D，它们的功能分别对应于晶体管三极管的基极b、发射极e和集电极c。由于场效应管的源极S和漏极D是对称的，实际使用中可以互换。
    场效应管按其结构不同分为两大类，即绝缘栅型场效应管和结型场效应管也w，棚  应管。绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体制成，简称MOS管。 MOs管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两种，每种类型按其导电沟道MOS，沟道还  不同又分为N沟道和P沟道两种。结型场效应管按其导电沟道不同也分为分N与PN沟道和P沟道两种，其内部结构与图形符号如图2 -63所示。

           
     图2 -63结型效应管的内部结构与图形符号
    (a)N沟道；(b)P沟道
    绝缘栅型场效应(MOS)管的输入电阻极高，而栅一源极间电容又非管性格娇，极易受外界电磁场带的静电感应而带电，将PN结击穿造成损坏。为避免发生PN结击穿损坏，出厂时通常用黑色包装，并将场效应管的三个极短接。焊接时，为了避免电烙铁带有感应电荷，应将电烙铁从电源上拨下；焊进电路后，不能让栅极悬空。