N沟道结型场效应管的基本工作原理如图2-64所示。NC7SZ125M5X由于栅极G接极管）有负偏压U，在栅极G附近形成耗尽区。当负偏压U增大时，耗尽区增同．晶流(晶体三极管是电大，导电沟道变窄，漏极电流减小，如图2-64 (b)所示；当负偏压Ue流控制）、场  减小时，耗尽区减小，导电沟道增大，漏极电流增大，如图2-64所示当负偏压Uc增大到一定程度，耗尽区充满了整个N区，导电沟道完是电压控制）  全被夹断，漏极电流/。减小到0，场效应管截止，如图2-64 (c)所示。 由图2 -63可见，漏极电流。受栅极电压的控制，所以场效应管是电压控制器件。即通过改变输入电压来控制输出电流的变化，从而实现放大作用。而前面介绍的晶体三极管是工作受电流控制的半导体器件，即通过改变输入基极电流来控制输出电流的变化，从而实现放大作用。

           
    图2-64 N沟道结型场效应管的基本工作原理
    (a)沟道最宽；(h)沟道变窄；(c)沟道夹断
    VMOS场效应管即V形槽MOS场效应管，是一种功率型场效应管，其主要特点是具有V形槽结构和垂直导电性能。漏极D是从片的背面引出，工作时漏极电流在栅极电压的控制下垂直地到达漏极而不是沿着表面水平流动，其内部结构如图2 - 65  (a)所示。VMOS场效应管不仅具有MOS场效应管的输入阻抗高、驱动电流小的优点，而且还具有耐压高、工作电流大、输出功率大、跨导线性好、开关速度快等特点，不仅用作高效功率开关器件，而且用作大功率线性放大器件，在各类电子线路中的应用都十分广泛。2SK1507、2SK2465型VMOS场效应管外形如图2-65 (b)、(c)所示。