以上所讨论的电路中，用NPN型晶体管作为跟G6A-234P-24V随器使用的电路对吸人电流有限制，用PNP型晶体管作为跟随器使用的电路对吐出电流有限制。跟随器的重要优点之一就是能够流过比偏置电流大得多的电流，不过这的确有些偏向。那么，现在就来讨论既能吐出(push)电流也能吸入7(pull)屯流的跟随器。
    首先，单纯地把NPN型晶体管跟随器与PNP型晶体管跟随器组合起来，这就是图5. 17(a)所示的电路。但是在这个电路中，由于VBEl+（-VBE2）=0，所以两方的晶体管都被截止，因而没有集电极电流和发射极电流。
    为了使晶体管导通，必须给晶体管的基极一发射极间加大约0.7V的电压。这个电路中，在从V。到GND的电流路径中，串联着Qi、Q2两个晶体管，所以需要两个晶体管都导通。所以，如图5.17 (b)所示，给Qi的基极和Q2的基极之间加0.7V×2=1. 4V的电压Vl。这样一来，两个晶体管都处于导通状态，于是作为跟随器，就可以对电流的吐出和吸人两方面都没有限制地工作起来了。
    但是，就像在第2章曾经见到的那样，当用电压给晶体管加偏置时，偏置电压一点点的变动就会引起偏置电流的指数变化，这是很危险的。虽然说如果不加电压就不能导通，但是还有什么方法呢？

          
    解决的方法之一，就是像电流反射镜那样，使用晶体管，由偏置电流产生偏置电压的方法。这就是图5. 17(c)的电路。这个电路中，Q，和Q2使用同一类型的NPN型晶体管，Q。和Q。使用同一类型的PNP型晶体管，所有晶体管的偏置电流都是由电流源I。来决定。这样一来，当使用电流源进行偏置时，即使在环境温度等发生变化的情况下，也能够作成确保偏置电流的稳定的电路。
    但是，特别是在处理大功率等的场合，晶体管Q，、Q2由于功率消耗大会导致自身发热，这种发热会使发射极电流增大，进而又使自身发热，最后有可能因为发热而产生所谓“热击穿”的现象。因此，在功率消耗大的场合，Qi Q2和Q。、Q。需要连接相同的散热片，使之处于相同的温度。进而，还可以使用图5.17 (d)的电路，给发射极追加电阻，使得热击穿难以发生。http://cxyhua.51dzw.com/