简单来说，IGBT相当于EA2-9一个由EA2-9驱动的厚基区PNP晶体管。它的简化等效电路如图9-1 (b)所示，图中氐为PNP晶体管基区内的调制电阻。从该等效电路可以清楚地看出，IGBT是用晶体管和功率MOSFET组成的复合器件。因为图中的晶体管为PNP型晶体管，MOSFET为N沟道场效应晶体管，所以这种结构的IGBT称为N沟道IGBT。类似地还有P沟道IGBT。IGBT是一种场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间电压UGE决定。当栅射极电压UG。为正且大于开启电压UG。(th)时，MOSFET内形成沟道并为PNP晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。此时，从P+区注入N的空穴（少数载流子）对N区进行电导调制，减小N一区的电阻RN，使高耐压的IGBT也具有很低的通态压降。当栅射极间不加信号或加反向电压时，MOSFET内的沟道消失，则PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断。由此可见，IGBT的驱动原理与MOSFET基本相同。
    IGBT的静态特性包括转移特性和输出特性。
     转移特性。
    IGBT转移特性是描述榘电极电流k与栅射电压UG。之间的相互关系，如图9-2 (a)所示。此特性与功率MOSFET的转移特性相似。由图9-2 (a)可知，丘与UGE基本呈线性关系，只有当UG。在UG。㈤附近时才呈非线性关系。当栅射电压UGE小于UG。(m)时，IGBT处于关断状态；当UG。大于UG。(th)时，IGBT开始导通。由此可知，GE(th)是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。UG随温度升高略有下降，温度每升高l℃，其值下降5mV左右。在25℃时，IGBT的开启电压UGE(th) -般为2～6V。
     图9-2 IGBT的静态特性曲线