绝缘栅极双极晶体管(IGBT)是20世纪80年代发展EA2-5V起来的一种新型复合器件。IGBT综合了功率MOSFET和GTR的优点，具有良好的特性，有更广泛的应用领域。目前IGBT的电流和电压等级已达2500A/4500V，关断时间已缩短到lOns级，工作频率达50kHz，擎住现象得到改善，安全工作区( SOA)扩大。这些优越的性能使得IGBT成为大功率开关电源、逆变器等电力电子装置的理想功率器件。
    由N沟道功率MOSFET与电力（双极型）晶体管组合而成的IGBT结构，简化将图9-1 (a)所示的IGBT结构与功率MOSFET结构相对照，不难发现这两种器件的结构十分相似，不同之处在于IGBT比功率MOSFET多一层P+注入区，从而形成一个大面积的P+N结Jl，这祥就使得IGBT导通时可由P+注入区向N基区发射少数载流子（即空穴），对漂移区电导率进行调制，因而IGBT具有很强的电流控制能力。

          
    图9-1  IGBT昀结构、简化等效电路和电气图形符号
    (a)内部结构断面示意图；(b)简化等效电路；(c)电气图形符号
    介于P+注入区与N+漂移区之间的N+层称为缓冲区。有无缓冲区可以获得不同特性的IGBT。有N+缓冲区的IGBT称为非对称型（也称穿通型）IGBT。它具有正向压降小、关断时间短、关断时尾部电流小等优点，但反向阻断能力相对较弱。无N+缓冲区的IGBT称为对称型（也称非穿通型）IGBT。这种IGBT具有较强的正反向阻断能力，但其他特性却不及非对称型IGBT。目前以上两种结构的IGBT均有产品。在图9-1 (a)中，C为集电极，E为发射极，G为栅极（也称门极）。该器件的电路图形符号如图9-1 (c)所示，图中所示箭头表示IGBT中电流流动的方向（P沟道IGBT的箭头与其相反）。