二次击穿特性
发布时间:2013/5/27 20:11:45 访问次数:1340
最高集射极间E6B2-CWZ6C 600P/R电压额定值BUc。又称为一次击穿电压值，发生一次击穿时反向电流急剧增加。如果有外接电阻限制电流的增长时，一般不会引起GTR特性变坏；但如果对此不加限制，就会导致破坏性的二次击穿。所谓二次击穿是指器件发生一次击穿后，集电极电流继续增加，在某电压电流点产生向低阻抗区高速移动的负阻现象。二次击穿用符号S/B表示。二次击穿时间在纳秒至微秒数量级之内，即使茌这样短的时间内，它也能使器件内出现明显的电流集中和过热点。因此，一旦发生二次击穿，轻者使GTR耐压降低、特性变差，重者使集电结和发射结熔通，使GTR受
到永久性损坏。
二次击穿按GTR的偏置状态分为两类：基极一发射极正偏，GTR工作于放大区的二次击穿称正偏二次击穿；基极一发射极反偏，GTR工作于截止区的二次击穿称为反偏二次击穿。
(1)正偏二次击穿。
当电力晶体管GTR正向偏置时，由于存在基区电阻，基极与发射极在同一平面上，发射结各点的偏置不尽相同，发射极边缘大而发射极中心小，又由于存在集一射电场，二者合成一个横向电场。此电场将电流集中到发射极边缘下很窄的区域内，造成电流局部集中，电流密度加大，温度升高，严重时造成热点或热斑。热点处的电阻率进一步减小，如不加限制就会因热点的温度过高并造成恶性循环导致该局部PN结失效，这就是正偏二次击穿。
(2)反偏二次击穿。
在GTR由导通转入截止状态时，发射结反向偏置，由于存储电荷的存在，集电极一发射极仍流过电流。由于基区电阻的存在，在发射极与基极相接的周边反偏电压大，而在其中心反偏很弱甚至可能仍为正偏，这就造成了发射极下基区横向电场由中心指向边缘，形成集电极电流被集中于发射结中心很小局部的不均匀现象。在该局部因电流密度很高形成热点，这样就可能在比正向偏置时要低得多的能量水平下即发生二次击穿。
二次击穿最终是由于器件芯片局部过热而引起的，而热点的形成需要能量的积累，即需要一定的电压、电流数值和一定的时间。因此，诸如集电极电压、电流、负载特性、导通脉宽、基极电路的配置以及材料、工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。
到永久性损坏。
二次击穿按GTR的偏置状态分为两类：基极一发射极正偏，GTR工作于放大区的二次击穿称正偏二次击穿；基极一发射极反偏，GTR工作于截止区的二次击穿称为反偏二次击穿。
(1)正偏二次击穿。
当电力晶体管GTR正向偏置时，由于存在基区电阻，基极与发射极在同一平面上，发射结各点的偏置不尽相同，发射极边缘大而发射极中心小，又由于存在集一射电场，二者合成一个横向电场。此电场将电流集中到发射极边缘下很窄的区域内，造成电流局部集中，电流密度加大，温度升高，严重时造成热点或热斑。热点处的电阻率进一步减小，如不加限制就会因热点的温度过高并造成恶性循环导致该局部PN结失效，这就是正偏二次击穿。
(2)反偏二次击穿。
在GTR由导通转入截止状态时，发射结反向偏置，由于存储电荷的存在，集电极一发射极仍流过电流。由于基区电阻的存在，在发射极与基极相接的周边反偏电压大，而在其中心反偏很弱甚至可能仍为正偏，这就造成了发射极下基区横向电场由中心指向边缘，形成集电极电流被集中于发射结中心很小局部的不均匀现象。在该局部因电流密度很高形成热点，这样就可能在比正向偏置时要低得多的能量水平下即发生二次击穿。
二次击穿最终是由于器件芯片局部过热而引起的，而热点的形成需要能量的积累，即需要一定的电压、电流数值和一定的时间。因此，诸如集电极电压、电流、负载特性、导通脉宽、基极电路的配置以及材料、工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。
最高集射极间E6B2-CWZ6C 600P/R电压额定值BUc。又称为一次击穿电压值，发生一次击穿时反向电流急剧增加。如果有外接电阻限制电流的增长时，一般不会引起GTR特性变坏；但如果对此不加限制，就会导致破坏性的二次击穿。所谓二次击穿是指器件发生一次击穿后，集电极电流继续增加，在某电压电流点产生向低阻抗区高速移动的负阻现象。二次击穿用符号S/B表示。二次击穿时间在纳秒至微秒数量级之内，即使茌这样短的时间内，它也能使器件内出现明显的电流集中和过热点。因此，一旦发生二次击穿，轻者使GTR耐压降低、特性变差，重者使集电结和发射结熔通，使GTR受
到永久性损坏。
二次击穿按GTR的偏置状态分为两类：基极一发射极正偏，GTR工作于放大区的二次击穿称正偏二次击穿；基极一发射极反偏，GTR工作于截止区的二次击穿称为反偏二次击穿。
(1)正偏二次击穿。
当电力晶体管GTR正向偏置时，由于存在基区电阻，基极与发射极在同一平面上，发射结各点的偏置不尽相同，发射极边缘大而发射极中心小，又由于存在集一射电场，二者合成一个横向电场。此电场将电流集中到发射极边缘下很窄的区域内，造成电流局部集中，电流密度加大，温度升高，严重时造成热点或热斑。热点处的电阻率进一步减小，如不加限制就会因热点的温度过高并造成恶性循环导致该局部PN结失效，这就是正偏二次击穿。
(2)反偏二次击穿。
在GTR由导通转入截止状态时，发射结反向偏置，由于存储电荷的存在，集电极一发射极仍流过电流。由于基区电阻的存在，在发射极与基极相接的周边反偏电压大，而在其中心反偏很弱甚至可能仍为正偏，这就造成了发射极下基区横向电场由中心指向边缘，形成集电极电流被集中于发射结中心很小局部的不均匀现象。在该局部因电流密度很高形成热点，这样就可能在比正向偏置时要低得多的能量水平下即发生二次击穿。
二次击穿最终是由于器件芯片局部过热而引起的，而热点的形成需要能量的积累，即需要一定的电压、电流数值和一定的时间。因此，诸如集电极电压、电流、负载特性、导通脉宽、基极电路的配置以及材料、工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。
到永久性损坏。
二次击穿按GTR的偏置状态分为两类：基极一发射极正偏，GTR工作于放大区的二次击穿称正偏二次击穿；基极一发射极反偏，GTR工作于截止区的二次击穿称为反偏二次击穿。
(1)正偏二次击穿。
当电力晶体管GTR正向偏置时，由于存在基区电阻，基极与发射极在同一平面上，发射结各点的偏置不尽相同，发射极边缘大而发射极中心小，又由于存在集一射电场，二者合成一个横向电场。此电场将电流集中到发射极边缘下很窄的区域内，造成电流局部集中，电流密度加大，温度升高，严重时造成热点或热斑。热点处的电阻率进一步减小，如不加限制就会因热点的温度过高并造成恶性循环导致该局部PN结失效，这就是正偏二次击穿。
(2)反偏二次击穿。
在GTR由导通转入截止状态时，发射结反向偏置，由于存储电荷的存在，集电极一发射极仍流过电流。由于基区电阻的存在，在发射极与基极相接的周边反偏电压大，而在其中心反偏很弱甚至可能仍为正偏，这就造成了发射极下基区横向电场由中心指向边缘，形成集电极电流被集中于发射结中心很小局部的不均匀现象。在该局部因电流密度很高形成热点，这样就可能在比正向偏置时要低得多的能量水平下即发生二次击穿。
二次击穿最终是由于器件芯片局部过热而引起的，而热点的形成需要能量的积累，即需要一定的电压、电流数值和一定的时间。因此，诸如集电极电压、电流、负载特性、导通脉宽、基极电路的配置以及材料、工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。
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