最大额定值
发布时间:2013/5/27 20:06:08 访问次数:1172
最大额定值是指允许E6B2-CWZ6C 400P/R施加于电力晶体管GTR上的电压、电流、耗散功率以及结温等的极限数值。它们是由GTR的材料性能、结构方式、设计水平和制造工艺等因素决定的，在使用中绝对不能超越这些参数极限。
(1)最高电压额定值。
最高集电极电压额定值是指集电极的击穿电压值，它不仅因器件不同而不同，即使是同一器件，又会由于基极电路条件的不同而不同。
发射极电压最大额定值是指在集电极开路条件下，发射结允许的最高反向偏置电压，通常用B Ueb。表示。由于发射区掺杂浓度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有几伏，典型值为8V。
(2)最大电流额定值。
集电极电流额定值/cm有两种规定方法：①以剧直的下降情况为尺度来确定/cm；②以结温和耗散功率为尺度来确定/cm，这主要是考虑GTR在低压范围内使用时，饱和压降对功率损耗的影响已不可忽视，在这种情况下以允许耗散功率的大小来确定/cm。
脉冲电流额定值的依据是引起内部引线熔断的集电极电流，或是引起集电结损坏的集电极电流；或以直流/cm的1.5～3倍定额脉冲/cm。
基极电流额定值/bm，规定为电力晶体管内引线允许流过的最大基极电流，通常取/bmz(1，2~1／6)与/cm相比通常裕量很大。
(3)最高结温额定值。
GTR的最高结温Tnu是由半导体材料性质、器件钝化工艺、封装质量以及其可靠性要求等因素所决定。一般情况下，塑料封装的硅管结温‰为125～150℃，金属封装的硅管Tnu为150～175℃，高可靠平面管的TJM为175～200℃。
(4)最大功耗额定值。
是指GTR在最高允许结温时所对应的耗散功率，它受结温的限制，其大小主要由集电结工作电压、电流的乘积决定。由于这部分能量将转化为热能并使GTR发热，因此GTR在使用中的散热条件是十分重要的，如果散热条件不好，器件会因温度过高而损坏。
(1)最高电压额定值。
最高集电极电压额定值是指集电极的击穿电压值，它不仅因器件不同而不同，即使是同一器件，又会由于基极电路条件的不同而不同。
发射极电压最大额定值是指在集电极开路条件下，发射结允许的最高反向偏置电压，通常用B Ueb。表示。由于发射区掺杂浓度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有几伏，典型值为8V。
(2)最大电流额定值。
集电极电流额定值/cm有两种规定方法：①以剧直的下降情况为尺度来确定/cm；②以结温和耗散功率为尺度来确定/cm，这主要是考虑GTR在低压范围内使用时，饱和压降对功率损耗的影响已不可忽视，在这种情况下以允许耗散功率的大小来确定/cm。
脉冲电流额定值的依据是引起内部引线熔断的集电极电流，或是引起集电结损坏的集电极电流；或以直流/cm的1.5～3倍定额脉冲/cm。
基极电流额定值/bm，规定为电力晶体管内引线允许流过的最大基极电流，通常取/bmz(1，2~1／6)与/cm相比通常裕量很大。
(3)最高结温额定值。
GTR的最高结温Tnu是由半导体材料性质、器件钝化工艺、封装质量以及其可靠性要求等因素所决定。一般情况下，塑料封装的硅管结温‰为125～150℃，金属封装的硅管Tnu为150～175℃，高可靠平面管的TJM为175～200℃。
(4)最大功耗额定值。
是指GTR在最高允许结温时所对应的耗散功率，它受结温的限制，其大小主要由集电结工作电压、电流的乘积决定。由于这部分能量将转化为热能并使GTR发热，因此GTR在使用中的散热条件是十分重要的，如果散热条件不好，器件会因温度过高而损坏。
最大额定值是指允许E6B2-CWZ6C 400P/R施加于电力晶体管GTR上的电压、电流、耗散功率以及结温等的极限数值。它们是由GTR的材料性能、结构方式、设计水平和制造工艺等因素决定的，在使用中绝对不能超越这些参数极限。
(1)最高电压额定值。
最高集电极电压额定值是指集电极的击穿电压值，它不仅因器件不同而不同，即使是同一器件，又会由于基极电路条件的不同而不同。
发射极电压最大额定值是指在集电极开路条件下，发射结允许的最高反向偏置电压，通常用B Ueb。表示。由于发射区掺杂浓度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有几伏，典型值为8V。
(2)最大电流额定值。
集电极电流额定值/cm有两种规定方法：①以剧直的下降情况为尺度来确定/cm；②以结温和耗散功率为尺度来确定/cm，这主要是考虑GTR在低压范围内使用时，饱和压降对功率损耗的影响已不可忽视，在这种情况下以允许耗散功率的大小来确定/cm。
脉冲电流额定值的依据是引起内部引线熔断的集电极电流，或是引起集电结损坏的集电极电流；或以直流/cm的1.5～3倍定额脉冲/cm。
基极电流额定值/bm，规定为电力晶体管内引线允许流过的最大基极电流，通常取/bmz(1，2~1／6)与/cm相比通常裕量很大。
(3)最高结温额定值。
GTR的最高结温Tnu是由半导体材料性质、器件钝化工艺、封装质量以及其可靠性要求等因素所决定。一般情况下，塑料封装的硅管结温‰为125～150℃，金属封装的硅管Tnu为150～175℃，高可靠平面管的TJM为175～200℃。
(4)最大功耗额定值。
是指GTR在最高允许结温时所对应的耗散功率，它受结温的限制，其大小主要由集电结工作电压、电流的乘积决定。由于这部分能量将转化为热能并使GTR发热，因此GTR在使用中的散热条件是十分重要的，如果散热条件不好，器件会因温度过高而损坏。
(1)最高电压额定值。
最高集电极电压额定值是指集电极的击穿电压值，它不仅因器件不同而不同，即使是同一器件，又会由于基极电路条件的不同而不同。
发射极电压最大额定值是指在集电极开路条件下，发射结允许的最高反向偏置电压，通常用B Ueb。表示。由于发射区掺杂浓度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有几伏，典型值为8V。
(2)最大电流额定值。
集电极电流额定值/cm有两种规定方法：①以剧直的下降情况为尺度来确定/cm；②以结温和耗散功率为尺度来确定/cm，这主要是考虑GTR在低压范围内使用时，饱和压降对功率损耗的影响已不可忽视，在这种情况下以允许耗散功率的大小来确定/cm。
脉冲电流额定值的依据是引起内部引线熔断的集电极电流，或是引起集电结损坏的集电极电流；或以直流/cm的1.5～3倍定额脉冲/cm。
基极电流额定值/bm，规定为电力晶体管内引线允许流过的最大基极电流，通常取/bmz(1，2~1／6)与/cm相比通常裕量很大。
(3)最高结温额定值。
GTR的最高结温Tnu是由半导体材料性质、器件钝化工艺、封装质量以及其可靠性要求等因素所决定。一般情况下，塑料封装的硅管结温‰为125～150℃，金属封装的硅管Tnu为150～175℃，高可靠平面管的TJM为175～200℃。
(4)最大功耗额定值。
是指GTR在最高允许结温时所对应的耗散功率，它受结温的限制，其大小主要由集电结工作电压、电流的乘积决定。由于这部分能量将转化为热能并使GTR发热，因此GTR在使用中的散热条件是十分重要的，如果散热条件不好，器件会因温度过高而损坏。
相关技术资料- 5-27最大额定值
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- E6B2-CWZ6C 400P/R
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