静态特性与参数
发布时间:2013/5/27 20:04:15 访问次数:1178
共射极电路的输出特性是指集电结E6B2-CWZ6C 360P/R的电压一电流特性,如图7-5所示。图中将GTR的工作状态分为4个明显不同的区域:阻断区、线性区、准饱和区和深饱和区。阻断区又称为截止区,其特征类似于开关处于断态的情况,该区对于基极电流厶为零的条件,GTR承受高电压而仅有极小的漏电流存在。在这一区域发射结和集电结均处于反向偏置状态。线性区又称为放大区,晶体管工作在这一区域时,集电极电流与基极电流间呈线性关系,特性曲线近似平直。该区的特点是集电结仍处于反向偏置而发射结改为正向偏置状态,对工作于开关状态的GTR来说,应当尽量避免工作于线性区,否则功耗将会很大。深饱和区的特征类似于开关处于接通的情况,在这一区域中基极电流变化时集电极电流不再随之变化,电流增益与导通电压均很小。工作于这一区域的GTR其发射结和集电结均处于正向偏置状态。准饱和区是指线性区与深饱和区之间的一段区域,即特性曲线明显弯曲的部分,在此区域中随着基极屯流的增加开始出现基区宽度调制效应,电流增益开始下降,集电极电流与基极电流之间不再呈线性关系,但仍保持着集电结反向偏置、发射结正向偏置的特点。
2.饱和压降特性
处于深饱和区的GTR集电极电压称作饱和压降,用Ue表示。此时的基射极电压称作基极正向压降,用Ub。表示。它们是大功率应用中的两项重要指标,直接关系到器件的导通功率损耗。
饱和压降Uce一般随着集电极电流的增加而增加,在I不变的情况下,Ue。随壳温的增加而增加。
基极正向压降bes也是随着集电极电流的增加而增加,但与温度的关系要复杂一些。在小电流情况下,温度增加时Ub。。减小;在大电流情况下,温度增加时Ube。增大。
达林顿结构的GTR不可能进入深饱和区,因而饱和压降也较大。
3.共射极电流增益∥
共射极电流增益∥是指共射极电路中GTR集电极电流t与基极电流厶的比值,它表示GTR的电流放大能力。
在正向偏置情况小电流条件下,∥随集电极电流t减小而减小;在中间电流范围内,∥值随温度的增加而增加;在大电流情况下∥值随温度的增加而减小;在管壳温度te和集电极电流t相同的条件下,正向电流增益∥随集电极电压Ue。的增加而增加。
GTR在反向接法时.由于把原来的集电区作为发射区使用,其掺杂浓度低,注入能力很小,因此反向电流增益历艮小。
共射极电路的输出特性是指集电结E6B2-CWZ6C 360P/R的电压一电流特性,如图7-5所示。图中将GTR的工作状态分为4个明显不同的区域:阻断区、线性区、准饱和区和深饱和区。阻断区又称为截止区,其特征类似于开关处于断态的情况,该区对于基极电流厶为零的条件,GTR承受高电压而仅有极小的漏电流存在。在这一区域发射结和集电结均处于反向偏置状态。线性区又称为放大区,晶体管工作在这一区域时,集电极电流与基极电流间呈线性关系,特性曲线近似平直。该区的特点是集电结仍处于反向偏置而发射结改为正向偏置状态,对工作于开关状态的GTR来说,应当尽量避免工作于线性区,否则功耗将会很大。深饱和区的特征类似于开关处于接通的情况,在这一区域中基极电流变化时集电极电流不再随之变化,电流增益与导通电压均很小。工作于这一区域的GTR其发射结和集电结均处于正向偏置状态。准饱和区是指线性区与深饱和区之间的一段区域,即特性曲线明显弯曲的部分,在此区域中随着基极屯流的增加开始出现基区宽度调制效应,电流增益开始下降,集电极电流与基极电流之间不再呈线性关系,但仍保持着集电结反向偏置、发射结正向偏置的特点。
2.饱和压降特性
处于深饱和区的GTR集电极电压称作饱和压降,用Ue表示。此时的基射极电压称作基极正向压降,用Ub。表示。它们是大功率应用中的两项重要指标,直接关系到器件的导通功率损耗。
饱和压降Uce一般随着集电极电流的增加而增加,在I不变的情况下,Ue。随壳温的增加而增加。
基极正向压降bes也是随着集电极电流的增加而增加,但与温度的关系要复杂一些。在小电流情况下,温度增加时Ub。。减小;在大电流情况下,温度增加时Ube。增大。
达林顿结构的GTR不可能进入深饱和区,因而饱和压降也较大。
3.共射极电流增益∥
共射极电流增益∥是指共射极电路中GTR集电极电流t与基极电流厶的比值,它表示GTR的电流放大能力。
在正向偏置情况小电流条件下,∥随集电极电流t减小而减小;在中间电流范围内,∥值随温度的增加而增加;在大电流情况下∥值随温度的增加而减小;在管壳温度te和集电极电流t相同的条件下,正向电流增益∥随集电极电压Ue。的增加而增加。
GTR在反向接法时.由于把原来的集电区作为发射区使用,其掺杂浓度低,注入能力很小,因此反向电流增益历艮小。
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