三极管主要参数
发布时间:2013/3/17 14:31:46 访问次数:1071
三极管的参数是表征三极FDSH0165G管的性能与应用范围的主要参考数据。
>发射极电流放大倍数分为直流放大倍数p与交流放大倍数p。电流放大系数一般在10～100。放大倍数太小，放大能力弱，放大倍数太大易使管子性能不稳定。放大倍数一般取30～80为宜。
>极间反向饱和电流有集电极一极反向饱和电流ICBO与集电极射极反向饱和电流ICEO。反向饱和电流随温度升高而增加，是三极管工作状态不稳定的主要因素，而ICEO一(i+p) ICBO。向饱和电流是判断三极管性能的重要参数。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化大的工作环境中应选择硅三极管。
极限参数
>集电极最大允许电流ICM 三极管工作时，当集电极电流超过ICM时，对三极管性能及参数产生严重影响，有可能损坏三极管。
>集电极最大允许耗散功率PCM 当三极管集电结两端电压与通过集电极电流的乘积超过PCM时，使三极管性能变坏或烧毁三极管。
>集电极一发射极间反向击穿电压U( BR) CEO 三极管基极开路时，集电极和发射极之间有最大允许电压。当加载三极管集咆极与发射极的电压越过U( BR) CEO时，三极管将会发生电压击穿，若发生电压击穿会导致热击穿，从而损坏三极管。
>发射极电流放大倍数分为直流放大倍数p与交流放大倍数p。电流放大系数一般在10～100。放大倍数太小，放大能力弱，放大倍数太大易使管子性能不稳定。放大倍数一般取30～80为宜。
>极间反向饱和电流有集电极一极反向饱和电流ICBO与集电极射极反向饱和电流ICEO。反向饱和电流随温度升高而增加，是三极管工作状态不稳定的主要因素，而ICEO一(i+p) ICBO。向饱和电流是判断三极管性能的重要参数。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化大的工作环境中应选择硅三极管。
极限参数
>集电极最大允许电流ICM 三极管工作时，当集电极电流超过ICM时，对三极管性能及参数产生严重影响，有可能损坏三极管。
>集电极最大允许耗散功率PCM 当三极管集电结两端电压与通过集电极电流的乘积超过PCM时，使三极管性能变坏或烧毁三极管。
>集电极一发射极间反向击穿电压U( BR) CEO 三极管基极开路时，集电极和发射极之间有最大允许电压。当加载三极管集咆极与发射极的电压越过U( BR) CEO时，三极管将会发生电压击穿，若发生电压击穿会导致热击穿，从而损坏三极管。
三极管的参数是表征三极FDSH0165G管的性能与应用范围的主要参考数据。
>发射极电流放大倍数分为直流放大倍数p与交流放大倍数p。电流放大系数一般在10～100。放大倍数太小，放大能力弱，放大倍数太大易使管子性能不稳定。放大倍数一般取30～80为宜。
>极间反向饱和电流有集电极一极反向饱和电流ICBO与集电极射极反向饱和电流ICEO。反向饱和电流随温度升高而增加，是三极管工作状态不稳定的主要因素，而ICEO一(i+p) ICBO。向饱和电流是判断三极管性能的重要参数。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化大的工作环境中应选择硅三极管。
极限参数
>集电极最大允许电流ICM 三极管工作时，当集电极电流超过ICM时，对三极管性能及参数产生严重影响，有可能损坏三极管。
>集电极最大允许耗散功率PCM 当三极管集电结两端电压与通过集电极电流的乘积超过PCM时，使三极管性能变坏或烧毁三极管。
>集电极一发射极间反向击穿电压U( BR) CEO 三极管基极开路时，集电极和发射极之间有最大允许电压。当加载三极管集咆极与发射极的电压越过U( BR) CEO时，三极管将会发生电压击穿，若发生电压击穿会导致热击穿，从而损坏三极管。
>发射极电流放大倍数分为直流放大倍数p与交流放大倍数p。电流放大系数一般在10～100。放大倍数太小，放大能力弱，放大倍数太大易使管子性能不稳定。放大倍数一般取30～80为宜。
>极间反向饱和电流有集电极一极反向饱和电流ICBO与集电极射极反向饱和电流ICEO。反向饱和电流随温度升高而增加，是三极管工作状态不稳定的主要因素，而ICEO一(i+p) ICBO。向饱和电流是判断三极管性能的重要参数。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化大的工作环境中应选择硅三极管。
极限参数
>集电极最大允许电流ICM 三极管工作时，当集电极电流超过ICM时，对三极管性能及参数产生严重影响，有可能损坏三极管。
>集电极最大允许耗散功率PCM 当三极管集电结两端电压与通过集电极电流的乘积超过PCM时，使三极管性能变坏或烧毁三极管。
>集电极一发射极间反向击穿电压U( BR) CEO 三极管基极开路时，集电极和发射极之间有最大允许电压。当加载三极管集咆极与发射极的电压越过U( BR) CEO时，三极管将会发生电压击穿，若发生电压击穿会导致热击穿，从而损坏三极管。
相关技术资料- 3-17三极管主要参数
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