三极管主要参数
发布时间:2013/3/17 14:31:46 访问次数:1095
三极管的参数是表征三极FDSH0165G管的性能与应用范围的主要参考数据。
>发射极电流放大倍数分为直流放大倍数p与交流放大倍数p。电流放大系数一般在10~100。放大倍数太小,放大能力弱,放大倍数太大易使管子性能不稳定。放大倍数一般取30~80为宜。
>极间反向饱和电流有集电极一极反向饱和电流ICBO与集电极射极反向饱和电流ICEO。反向饱和电流随温度升高而增加,是三极管工作状态不稳定的主要因素,而ICEO一(i+p) ICBO。向饱和电流是判断三极管性能的重要参数。硅管反向饱和电流远小于锗管,在温度变化大的工作环境中应选择硅三极管。
极限参数
>集电极最大允许电流ICM 三极管工作时,当集电极电流超过ICM时,对三极管性能及参数产生严重影响,有可能损坏三极管。
>集电极最大允许耗散功率PCM 当三极管集电结两端电压与通过集电极电流的乘积超过PCM时,使三极管性能变坏或烧毁三极管。
>集电极一发射极间反向击穿电压U( BR) CEO 三极管基极开路时,集电极和发射极之间有最大允许电压。当加载三极管集咆极与发射极的电压越过U( BR) CEO时,三极管将会发生电压击穿,若发生电压击穿会导致热击穿,从而损坏三极管。
>发射极电流放大倍数分为直流放大倍数p与交流放大倍数p。电流放大系数一般在10~100。放大倍数太小,放大能力弱,放大倍数太大易使管子性能不稳定。放大倍数一般取30~80为宜。
>极间反向饱和电流有集电极一极反向饱和电流ICBO与集电极射极反向饱和电流ICEO。反向饱和电流随温度升高而增加,是三极管工作状态不稳定的主要因素,而ICEO一(i+p) ICBO。向饱和电流是判断三极管性能的重要参数。硅管反向饱和电流远小于锗管,在温度变化大的工作环境中应选择硅三极管。
极限参数
>集电极最大允许电流ICM 三极管工作时,当集电极电流超过ICM时,对三极管性能及参数产生严重影响,有可能损坏三极管。
>集电极最大允许耗散功率PCM 当三极管集电结两端电压与通过集电极电流的乘积超过PCM时,使三极管性能变坏或烧毁三极管。
>集电极一发射极间反向击穿电压U( BR) CEO 三极管基极开路时,集电极和发射极之间有最大允许电压。当加载三极管集咆极与发射极的电压越过U( BR) CEO时,三极管将会发生电压击穿,若发生电压击穿会导致热击穿,从而损坏三极管。
三极管的参数是表征三极FDSH0165G管的性能与应用范围的主要参考数据。
>发射极电流放大倍数分为直流放大倍数p与交流放大倍数p。电流放大系数一般在10~100。放大倍数太小,放大能力弱,放大倍数太大易使管子性能不稳定。放大倍数一般取30~80为宜。
>极间反向饱和电流有集电极一极反向饱和电流ICBO与集电极射极反向饱和电流ICEO。反向饱和电流随温度升高而增加,是三极管工作状态不稳定的主要因素,而ICEO一(i+p) ICBO。向饱和电流是判断三极管性能的重要参数。硅管反向饱和电流远小于锗管,在温度变化大的工作环境中应选择硅三极管。
极限参数
>集电极最大允许电流ICM 三极管工作时,当集电极电流超过ICM时,对三极管性能及参数产生严重影响,有可能损坏三极管。
>集电极最大允许耗散功率PCM 当三极管集电结两端电压与通过集电极电流的乘积超过PCM时,使三极管性能变坏或烧毁三极管。
>集电极一发射极间反向击穿电压U( BR) CEO 三极管基极开路时,集电极和发射极之间有最大允许电压。当加载三极管集咆极与发射极的电压越过U( BR) CEO时,三极管将会发生电压击穿,若发生电压击穿会导致热击穿,从而损坏三极管。
>发射极电流放大倍数分为直流放大倍数p与交流放大倍数p。电流放大系数一般在10~100。放大倍数太小,放大能力弱,放大倍数太大易使管子性能不稳定。放大倍数一般取30~80为宜。
>极间反向饱和电流有集电极一极反向饱和电流ICBO与集电极射极反向饱和电流ICEO。反向饱和电流随温度升高而增加,是三极管工作状态不稳定的主要因素,而ICEO一(i+p) ICBO。向饱和电流是判断三极管性能的重要参数。硅管反向饱和电流远小于锗管,在温度变化大的工作环境中应选择硅三极管。
极限参数
>集电极最大允许电流ICM 三极管工作时,当集电极电流超过ICM时,对三极管性能及参数产生严重影响,有可能损坏三极管。
>集电极最大允许耗散功率PCM 当三极管集电结两端电压与通过集电极电流的乘积超过PCM时,使三极管性能变坏或烧毁三极管。
>集电极一发射极间反向击穿电压U( BR) CEO 三极管基极开路时,集电极和发射极之间有最大允许电压。当加载三极管集咆极与发射极的电压越过U( BR) CEO时,三极管将会发生电压击穿,若发生电压击穿会导致热击穿,从而损坏三极管。