二极管的识别
发布时间:2013/3/16 20:04:36 访问次数:1143
二极管的识别很简单，小功率二极管EW-512的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。二极管在电路中常用“VD”加教字表示，如VD1表示编号或序号为1的二极管。
二极管的基础知识
二极管的导电特性
>正向特性 正向电压UF小于门槛电压UT时，二极管VD截止，正向电流b=o；其中，门槛电压UT=o5V（硅管），UT=0.2V（锗管）。UF>UT时，二极管VD导通，IF急剧增大。导通后二极管VD两端电压基本恒定，导通电压U。。一0.7V（硅
管），UON=0.3V（锗管）。
正偏时电阻小，具有非线性。 当正向电压超过死区电压( UT)后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。
>反向特性反向电压UR<URM（反向击穿电压）时，反向电流IR很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。UR >URM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压URM称为反向击穿电压。
反偏电阻大，存在电击穿现象。击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。
二极管的基础知识
二极管的导电特性
>正向特性 正向电压UF小于门槛电压UT时，二极管VD截止，正向电流b=o；其中，门槛电压UT=o5V（硅管），UT=0.2V（锗管）。UF>UT时，二极管VD导通，IF急剧增大。导通后二极管VD两端电压基本恒定，导通电压U。。一0.7V（硅
管），UON=0.3V（锗管）。
正偏时电阻小，具有非线性。 当正向电压超过死区电压( UT)后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。
>反向特性反向电压UR<URM（反向击穿电压）时，反向电流IR很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。UR >URM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压URM称为反向击穿电压。
反偏电阻大，存在电击穿现象。击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。
二极管的识别很简单，小功率二极管EW-512的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。二极管在电路中常用“VD”加教字表示，如VD1表示编号或序号为1的二极管。
二极管的基础知识
二极管的导电特性
>正向特性 正向电压UF小于门槛电压UT时，二极管VD截止，正向电流b=o；其中，门槛电压UT=o5V（硅管），UT=0.2V（锗管）。UF>UT时，二极管VD导通，IF急剧增大。导通后二极管VD两端电压基本恒定，导通电压U。。一0.7V（硅
管），UON=0.3V（锗管）。
正偏时电阻小，具有非线性。 当正向电压超过死区电压( UT)后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。
>反向特性反向电压UR<URM（反向击穿电压）时，反向电流IR很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。UR >URM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压URM称为反向击穿电压。
反偏电阻大，存在电击穿现象。击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。
二极管的基础知识
二极管的导电特性
>正向特性 正向电压UF小于门槛电压UT时，二极管VD截止，正向电流b=o；其中，门槛电压UT=o5V（硅管），UT=0.2V（锗管）。UF>UT时，二极管VD导通，IF急剧增大。导通后二极管VD两端电压基本恒定，导通电压U。。一0.7V（硅
管），UON=0.3V（锗管）。
正偏时电阻小，具有非线性。 当正向电压超过死区电压( UT)后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。
>反向特性反向电压UR<URM（反向击穿电压）时，反向电流IR很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。UR >URM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压URM称为反向击穿电压。
反偏电阻大，存在电击穿现象。击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。
相关技术资料- 3-16二极管的识别
- 相关IC型号
- EW-512
- EW-50-11-T-S-500
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