肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)  肖特基二极管具E-TDE1707BFPT有反向恢复时间很短、正向压降较低的特性，常用于高频整流、检波、高速脉冲箱位等。肖特基二极管以多数载流子导电的，其反向饱和电流比以少数载流子导电的普通二极管大得多。同时由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应甚微，其频率仅受到时间常数(RC)限制，是高频和快速开关的理想器件，工作频率可达100GHz。

           
    肖特基二极管在结构上与普通二极管有很大区别，其内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅(S102)电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管的外形，如图4-13所示。常用肖特基二极管的参数，如表4-4所示。