光敏电阻光敏电阻器是利用半导体的光电TIP50G效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。光敏电阻器通常由光敏层、玻螭基片（或树脂防潮膜）和电极等组成。通常将金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，在光敏材料的梳状欧姆电极两端装上电极引线，就构成光敏电阻。其外形和电路符号，如图1-11所示。
    由硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌构成光敏电阻，主要用于各种光电控制系统。

          
    a．光敏电阻的主要参数
    亮电阻（单位：kQ）  亮电阻是指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。
    暗电阻（单位：MQ）  暗电阻是指光敏电阻器在无光照射（黑暗环境）时的电阻值。
    最高工作电压（单位：V）  最高工作电压是指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压
    亮电流(单位：mA)  亮电流是指光敏电阻器在规定的外加电压下受到光照射时所通过的电流。
    暗电流(单位：mA)  暗电流是指在无光照射时，光敏电阻器在规定的外加电压下通过的电流。
    时间常数（单位：s）  时间常数是指光敏电阻器从光照跃变开始到稳定亮电流的63%时所需的时间。
    电阻温度系数  电阻温度系数是指光敏电阻器在环境温度改变l℃时，其电阻值的相对变化。