空穴导电的P型硅
发布时间:2013/2/22 19:33:04 访问次数:1649
为了研究硅等半导体中的电流CAT4238TD-GT3流动情况，空穴也是一种很重要的考虑方法。空穴英文称为hole，意思是“带正电荷的空洞”。在这里我们首先了解一下空穴。
如毫“所示，单晶硅中加入微量Ⅲ族元素硼(B)，晶体中的硅原子一部分被硼原子替换。硼最外层有3个电子，比硅少1个，因此硼原子周围有4个硅原子时，形成3个共价键，有一个硅原子不能结合。也就是说，缺少一个电子，或者是说处于少一个结合键的状态。
单晶硅整体显电中性，因此这个缺少电子之处，即是空穴，带有与外部电子所带负电荷大小相同、符号相反的正电荷。而且，在这个缺少电子之处，附近形成共价键的电子很容易进入，从而在其原来所在的地方形成空穴。所以给单晶硅上加电场时，电子移动方向与电场方向相反，而空穴则沿电场方向移动。
这种与电子符号相反电量相同的正电荷，在电场中可以容易地移动的假想粒子称为空穴。如果把束缚电子比喻成水的话，空穴就是其中产生的“气泡”。
空穴带有正电荷( positive charge)，因此通过空穴传导电流的硅祢为p型硅。也就是说，p型硅是以空穴为载流子的硅。p型硅中，电流流动方向与空穴运动方向一致。
如毫“所示，单晶硅中加入微量Ⅲ族元素硼(B)，晶体中的硅原子一部分被硼原子替换。硼最外层有3个电子，比硅少1个，因此硼原子周围有4个硅原子时，形成3个共价键，有一个硅原子不能结合。也就是说，缺少一个电子，或者是说处于少一个结合键的状态。
单晶硅整体显电中性，因此这个缺少电子之处，即是空穴，带有与外部电子所带负电荷大小相同、符号相反的正电荷。而且，在这个缺少电子之处，附近形成共价键的电子很容易进入，从而在其原来所在的地方形成空穴。所以给单晶硅上加电场时，电子移动方向与电场方向相反，而空穴则沿电场方向移动。
这种与电子符号相反电量相同的正电荷，在电场中可以容易地移动的假想粒子称为空穴。如果把束缚电子比喻成水的话，空穴就是其中产生的“气泡”。
空穴带有正电荷( positive charge)，因此通过空穴传导电流的硅祢为p型硅。也就是说，p型硅是以空穴为载流子的硅。p型硅中，电流流动方向与空穴运动方向一致。
为了研究硅等半导体中的电流CAT4238TD-GT3流动情况，空穴也是一种很重要的考虑方法。空穴英文称为hole，意思是“带正电荷的空洞”。在这里我们首先了解一下空穴。
如毫“所示，单晶硅中加入微量Ⅲ族元素硼(B)，晶体中的硅原子一部分被硼原子替换。硼最外层有3个电子，比硅少1个，因此硼原子周围有4个硅原子时，形成3个共价键，有一个硅原子不能结合。也就是说，缺少一个电子，或者是说处于少一个结合键的状态。
单晶硅整体显电中性，因此这个缺少电子之处，即是空穴，带有与外部电子所带负电荷大小相同、符号相反的正电荷。而且，在这个缺少电子之处，附近形成共价键的电子很容易进入，从而在其原来所在的地方形成空穴。所以给单晶硅上加电场时，电子移动方向与电场方向相反，而空穴则沿电场方向移动。
这种与电子符号相反电量相同的正电荷，在电场中可以容易地移动的假想粒子称为空穴。如果把束缚电子比喻成水的话，空穴就是其中产生的“气泡”。
空穴带有正电荷( positive charge)，因此通过空穴传导电流的硅祢为p型硅。也就是说，p型硅是以空穴为载流子的硅。p型硅中，电流流动方向与空穴运动方向一致。
如毫“所示，单晶硅中加入微量Ⅲ族元素硼(B)，晶体中的硅原子一部分被硼原子替换。硼最外层有3个电子，比硅少1个，因此硼原子周围有4个硅原子时，形成3个共价键，有一个硅原子不能结合。也就是说，缺少一个电子，或者是说处于少一个结合键的状态。
单晶硅整体显电中性，因此这个缺少电子之处，即是空穴，带有与外部电子所带负电荷大小相同、符号相反的正电荷。而且，在这个缺少电子之处，附近形成共价键的电子很容易进入，从而在其原来所在的地方形成空穴。所以给单晶硅上加电场时，电子移动方向与电场方向相反，而空穴则沿电场方向移动。
这种与电子符号相反电量相同的正电荷，在电场中可以容易地移动的假想粒子称为空穴。如果把束缚电子比喻成水的话，空穴就是其中产生的“气泡”。
空穴带有正电荷( positive charge)，因此通过空穴传导电流的硅祢为p型硅。也就是说，p型硅是以空穴为载流子的硅。p型硅中，电流流动方向与空穴运动方向一致。
相关技术资料- 2-22空穴导电的P型硅
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