如图3. 61(a)所示，在一个晶体里TDC-GP1面用两组P型半导体像三明治一样夹住N型使之结合，或者如图3. 62(a)所示，用N型夹住P型的NPN结合半导体就是晶体管（亦称三极管）。可以认为晶体管就是由P+N+P，或者是由N+P+N构成的晶体。下面，我们以PNP结合的半导体为例，分析一下晶体管的工作状况。

    如图3. 61(b)所示，将C端（集电极）连接到电池的e极，B端（基极）连接到电池的O极，此时如同对二极管加上反向电压一样，形成耗尽层，因此电流不流通。
    在此状态下如图3. 61(c)所示，再准备一个电池，将其④极连接到E端（发射极）、O极连接到基极，此时E-B之间（可认为是二极管）外加了正向电压，则与发射极相连的P型半导体中的空穴移动到N型区域的基极一侧。同时，与基极相连N型半导体中电子则移动到P型区域的发射极一侧。即基极一发射极之间流通电流。虽然从发射极流人的一部分空穴会与基极区域中的电子复合而消失，但是，由于基极区域的宽度很窄，多数的空穴穿过基极区域，进入P型区域的集电
极部分。
    在此重要的是，不可以认为穿过基极区域的空穴是被集电极端的O极所吸引而移动过来的。空穴流入基极部分是由于扩散这一物理现象所导致的。所谓扩散，如同其字面含义，是一种慢慢散开状态的移动（可以用往水里滴入1滴墨水后逐渐染遍全体的现象作比喻）。因此与集电极端连接的e电压的大小是无关的（图3. 63）。当然从集电极会有电流流出，此时其电流的强度J。只比流入发射极端的电流强度IE稍弱一点。而且，即使改变集电极一基极之间的屯压强度，也不发生变化。要改变Ic必须改变，。，表现出J。的变化与，。改变相关的性质。用曲线图表示成图3. 64。