(1)在图5.13(a)中，x的电位ATMEGA32U4-MU最高，它是集电极C。y与z之间的电压为0. 6V，可确定是硅管发射结电压，因此，y就是基极B，z就是发射极E，它符合Vc>VB>VE（vx>vy>vz）的关系，而且也明确了此管为NPN型硅管，其正确答案如图(c)中所示。
    (2)同样理由，可判断图5.13 (b)中的VT2管的集电极C为y，x与z分别为发射极E和基极B，它们符合VE>VB>VC（vx>vy>vz）的关系。由发射结电压UBE=-0. 3V，可知VT2是PNP型锗管。其正确答案如图(d)所示。
    例题5.2  试根据图5. 14所示管子的对地电位，判断管子是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？
    解：(1)在图5.14 (a)中，晶体管为NPN型。由发射结电压UBE=0.7V，知道处于正偏，且是硅管，但是VB>Vc(0.7 >0.3)V，因此集电结也处于正向偏置。所以，此NPN型硅管处于饱和状态。

            
    (2)在图5.14 (b)中，晶体管为Pl\IP型。发射结电压UBE=-0. 3V为正向偏置，所以该管为锗管，又VB>VC，集电结为反向偏置。所以，此PNP型锗管工作在放大状态。
    (3)在图5.14 (c)中，发射结电压VBF=+0.6-0=+0.6V注意，此管为PNP管）而处于反偏，集电结也是反偏(VB>VC)。因此，管子处于截止状态。此处无法判断其为硅管还是锗管。
    例题5.3  某三极管的输出特曲线如图5.15所示。试计算(1) Qi点的直流电流放大系数届；(2) Qi和Q2两点间的交流电流放大系数卢。
    解：(1)在Qi点处，B=40riA=0.04mA