(1)集电极基极间的ATMEGA128A-AU反向饱和电流/CBO
    是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。良好的晶体管/CBO应很小。
    (2)集电极发射极间的穷透电流/CEO
    是指基极开路，集电极与发射极之间的反向电流，又称为穿透电流受温度影响很大，温度越高，/CEO越大，管子工作越不稳定。
    极限参数
    (1)集电极最大允许电流/CM
    是指能够流过集电极的最大直流电流或交流电流的平均值。在选择三极管时，一般选用额定值大约为通常使用状态下的最大电流2倍以上的管子。
    (2)集电极最大允许耗散功率PCM
    是指集电极允许功率损耗的最大值。使用三极管时，管子的耗散功率不应超过此值，否则，管子的集电结会因为过热而损坏（硅管允许结温约为150 0C，锗管约为75℃）。因此，大功率三极管为了提高PCM值，可以在三极管表面加装一定面积的散热器。

         
    (3)反向击穿电压VC。
    是指基极开路，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压VC。在使用三极管时，集电极和发射极间所加的电压决不能超过此值，否则将损坏管子。
    例题5.1 用万用表测得放大电路中三极管VT,各电极的对地电位分别为Vx=9V，Vy=3.6V，Vz =3V，如图5.13 (a)所示；VT2管子各电极的对地电位分别为vx=-5V，K=-10V，vz=-5.3V，如图5.13 (b)所示。试判断VTi、VT2各是何类型、何材料的管子，又xyz各是何电极？
    解：分析时，先从电极的最离电位( NPN)或最低电位(PNP)确定集电极，然后由其他两极的电位差值确定基极和发射极，从而明确是硅管还是锗管。