内电路中的压控振荡器(VCO)电路
发布时间:2012/11/27 19:37:45 访问次数:1055
图5-152所示是集成电路TA7343P内电路ALPU-05-1033中压控振荡器( VCO)。电路中,集成电路④脚外接振荡电容1C51和振荡频率调整元件1R23、1RP1。Uo为这一振荡器输出的76kHz矩形脉冲信号。
电路中的VT4和VT7构成差分放大器,VT3和VT6分别是VT4和VT7的有源集电极负载,VT9构成VT4和VT7的发射极恒流源。
在电源接通瞬间,因为电容1C51两端的电压不能发生突变,④脚电压等于+Vcc。这一电压经电阻Rl加到VT4基极,使VT4基极电压为最高,导致VT4饱和导通,使VT7截止。VT4导通后其集电极为低电平,使VT3获得正向偏置而导通,其集电极输出的高电平加到VT2和VT8基极,使这两只管子导通。
由于VT8导通,输出信号砜为低电平,其经R2加到VT7基极,使VT7保持截止状态。
由于VT2导通,构成了1C51的充电回路,即直流工作电压+Vcc—1C51一集成电路的④脚一R3一VT2集电极一VT2发射极一VT10发射极一VT10集电极一地端。图5-153所示是这一充电电流回路示意图。
随着对1C51充电的进行,电路中的A点电压下降,当A点电压下降到一定程度(低于VT7基极电压)时,VT4由导通转为截止,VT7则由截止转为导通。由于VT4截止,其集电极为高电平,导致VT3截止,其集电极输出低电平,加到了VT2和VT8基极,使这两只三极管截止。
由于VT8截止,输出信号砜变为高电平,VT7基极因变为高电平而使VT7保持导通状态。
由于VT2截止,断开了1C51充电回路,这样原先该电容上充得的电压通过1RP1和1R23放电。随着这一放电的进行,集成电路的④脚电压升高,即VT4基极电压在升高,当升高到一定程度(高于VT7基极电压)时,VT4再次导通,进行第二个周期的振荡。
通过上述电路分析可知,1C51的不断充电、放电使振荡器发生振荡,振荡周期由1C51的充电、放电时间常数决定,其中主要由1C51的放电时间常数决定,放电时间常数由1C51、1R23和1RP1决定,改变1RP1的阻值便可以调整这一振荡器的振荡频率,所以1RP1为振荡频率微调电阻器。
图5-152所示是集成电路TA7343P内电路ALPU-05-1033中压控振荡器( VCO)。电路中,集成电路④脚外接振荡电容1C51和振荡频率调整元件1R23、1RP1。Uo为这一振荡器输出的76kHz矩形脉冲信号。
电路中的VT4和VT7构成差分放大器,VT3和VT6分别是VT4和VT7的有源集电极负载,VT9构成VT4和VT7的发射极恒流源。
在电源接通瞬间,因为电容1C51两端的电压不能发生突变,④脚电压等于+Vcc。这一电压经电阻Rl加到VT4基极,使VT4基极电压为最高,导致VT4饱和导通,使VT7截止。VT4导通后其集电极为低电平,使VT3获得正向偏置而导通,其集电极输出的高电平加到VT2和VT8基极,使这两只管子导通。
由于VT8导通,输出信号砜为低电平,其经R2加到VT7基极,使VT7保持截止状态。
由于VT2导通,构成了1C51的充电回路,即直流工作电压+Vcc—1C51一集成电路的④脚一R3一VT2集电极一VT2发射极一VT10发射极一VT10集电极一地端。图5-153所示是这一充电电流回路示意图。
随着对1C51充电的进行,电路中的A点电压下降,当A点电压下降到一定程度(低于VT7基极电压)时,VT4由导通转为截止,VT7则由截止转为导通。由于VT4截止,其集电极为高电平,导致VT3截止,其集电极输出低电平,加到了VT2和VT8基极,使这两只三极管截止。
由于VT8截止,输出信号砜变为高电平,VT7基极因变为高电平而使VT7保持导通状态。
由于VT2截止,断开了1C51充电回路,这样原先该电容上充得的电压通过1RP1和1R23放电。随着这一放电的进行,集成电路的④脚电压升高,即VT4基极电压在升高,当升高到一定程度(高于VT7基极电压)时,VT4再次导通,进行第二个周期的振荡。
通过上述电路分析可知,1C51的不断充电、放电使振荡器发生振荡,振荡周期由1C51的充电、放电时间常数决定,其中主要由1C51的放电时间常数决定,放电时间常数由1C51、1R23和1RP1决定,改变1RP1的阻值便可以调整这一振荡器的振荡频率,所以1RP1为振荡频率微调电阻器。
上一篇:差分式立体声开关解码器原理