图3.24是用图3.23(a)的方法改LM431AIZ变图3.1电路的放大倍数时电压增益的频率特性。图中的A，是由式(3.11)求得的计算值(AV=C。/(RD∥R》。可以看出，当降低源极交流电阻值时，放大倍数将变大。

   (这是用图3.23(a)的方法改变图3.1电路的增益。图中的A，是用式(3.11)求得的计算值。特别是当R—O,O时源极电阻也为0Q，得到该电路的最大增益约为33dB，稍微小了些）
    特别是当R=Ofl时，由于源极通过电容直接接地，理论计算的A，将为但是如图3.24所示，实际电路中的值为33dB(约45倍)。这是该电路所熊够得到的最大增益。
    对于双极晶体管，这个最大增益值与hFE有关；对于FET则与g。有关。
    当源极交流接地时，如图3.25所示，栅极一源极间电压VGS的变化量AVG。等于输入电压Vi。而输出电压u。为漏极电流的变化量AID与漏极电阻RD之积，所以能够实现的最大增益为：
                
   这就是说，为了提高AVMAX，可以增大gm或者增大RD。但是从电路结构上考虑，RD不能够很大(充其量iokfl)。所以，使用JFET单管放大电路能够得到的最大增益约为30～40dB。
    双极晶体管的矗FE值在100 N1000范围，它的单管电路增大增益约为40～60dB。所以用JFET得到的增益比用晶体管稍低些（但是功率MOSFET有些不同），这是FET的缺点之一。