RD连接在漏极与电源之间，所以这里产生LF412CN的电压降是以电源为基准的。因此，当输入电压vi增加，漏极电流也增加时，RD上的电压降相对于电源也变大，漏极相对于地的电位可。(RD与漏极的接点电位)减少。
    相反，如果n减少时漏极电流也减少，RD上的电压降变小，Vd相对于GND增加。因此，相对于vi，Vd的相位是反相的——相位变化180^。。
    由照片2.5和照片2.6可以看出，对于FET源极接地放大电路来说，各极间呈现出的信号的相位关系是栅极一源极间同相（相位差为零），栅极一漏极间以及源极一漏极间反相。
    但是，需要注意的是这只是源极接地时的相位关系，对于后面将要讲到的栅极接地放大电路来说，情况是不同的。
    这里的情况与双极晶体管发射极接地放大电路相同。
    照片2.7是漏极电位Vd与输出电压u。的波形。耦合电容C2隔断了Vd的直流成分，取出的输出仅是以OV为中心摆动的交流成分。