集成运算放大器的基本性能特点
发布时间:2012/7/10 19:56:45 访问次数:2368
集成电路有以下特点：
(1)集成电路中的所有元件GRM32NR71C335KC01L同处在一小块硅片上，相互距离非常近，制作时工艺条件相同，因而同一片内的元件参数值具有相同方向的偏差，温度特性基本一致，容易制成两个特性相同的管子或两个阻值相等的电阻，故特别适宜制作差动放大器。
(2)在集成电路中，电阻值一般在几十欧至几十千欧的范围内。大阻值电阻往往外接或用晶体管制成有源负载电阻代替。
(3)集成电路中的电容不能做得太大，大约几十皮法，常用PN结电容构成。这是因为制造一个10 pF的电容所需的硅片面积，约等于10个晶体管所占的面积。所需的大电容，需采用外接方式。至于电感就更难制造。
(4)集成电路中的二极管一般都用三极管构成，常用形式是将基极与集电极短路和射极构成二极管。
综上所述，由于集成电路制造工艺的限制，电容、电感及大电阻常采用外接方式，因此集成运算放大器内部各级之间都采用直接耦合的方式。
直接耦合放大电路具有良好的低频频率特性，可以放大缓慢变化的信号，甚至直流信号，但却存在一个致命的问题，即当温度变化或电路参数等因素稍有变化时，电路的工作点将随之变化，导致在放大嚣输入交流信号为零的情况下，输出端电压会偏离初始静态值（相当于交流信号零点），出现缓慢而不规则的漂移，这种现象称为“零点漂移”(zero drift)。不难理解，在多级放大器中第一级放大器的零点漂移的影响最为严重，因为采用直接耦合方式，第一级的漂移被逐级放大，以致影响整个放大电路的工作。因此，集成运算放大器输入级利用差分放大电路的良好对称性，来抑制零点漂移。
(1)集成电路中的所有元件GRM32NR71C335KC01L同处在一小块硅片上，相互距离非常近，制作时工艺条件相同，因而同一片内的元件参数值具有相同方向的偏差，温度特性基本一致，容易制成两个特性相同的管子或两个阻值相等的电阻，故特别适宜制作差动放大器。
(2)在集成电路中，电阻值一般在几十欧至几十千欧的范围内。大阻值电阻往往外接或用晶体管制成有源负载电阻代替。
(3)集成电路中的电容不能做得太大，大约几十皮法，常用PN结电容构成。这是因为制造一个10 pF的电容所需的硅片面积，约等于10个晶体管所占的面积。所需的大电容，需采用外接方式。至于电感就更难制造。
(4)集成电路中的二极管一般都用三极管构成，常用形式是将基极与集电极短路和射极构成二极管。
综上所述，由于集成电路制造工艺的限制，电容、电感及大电阻常采用外接方式，因此集成运算放大器内部各级之间都采用直接耦合的方式。
直接耦合放大电路具有良好的低频频率特性，可以放大缓慢变化的信号，甚至直流信号，但却存在一个致命的问题，即当温度变化或电路参数等因素稍有变化时，电路的工作点将随之变化，导致在放大嚣输入交流信号为零的情况下，输出端电压会偏离初始静态值（相当于交流信号零点），出现缓慢而不规则的漂移，这种现象称为“零点漂移”(zero drift)。不难理解，在多级放大器中第一级放大器的零点漂移的影响最为严重，因为采用直接耦合方式，第一级的漂移被逐级放大，以致影响整个放大电路的工作。因此，集成运算放大器输入级利用差分放大电路的良好对称性，来抑制零点漂移。
集成电路有以下特点：
(1)集成电路中的所有元件GRM32NR71C335KC01L同处在一小块硅片上，相互距离非常近，制作时工艺条件相同，因而同一片内的元件参数值具有相同方向的偏差，温度特性基本一致，容易制成两个特性相同的管子或两个阻值相等的电阻，故特别适宜制作差动放大器。
(2)在集成电路中，电阻值一般在几十欧至几十千欧的范围内。大阻值电阻往往外接或用晶体管制成有源负载电阻代替。
(3)集成电路中的电容不能做得太大，大约几十皮法，常用PN结电容构成。这是因为制造一个10 pF的电容所需的硅片面积，约等于10个晶体管所占的面积。所需的大电容，需采用外接方式。至于电感就更难制造。
(4)集成电路中的二极管一般都用三极管构成，常用形式是将基极与集电极短路和射极构成二极管。
综上所述，由于集成电路制造工艺的限制，电容、电感及大电阻常采用外接方式，因此集成运算放大器内部各级之间都采用直接耦合的方式。
直接耦合放大电路具有良好的低频频率特性，可以放大缓慢变化的信号，甚至直流信号，但却存在一个致命的问题，即当温度变化或电路参数等因素稍有变化时，电路的工作点将随之变化，导致在放大嚣输入交流信号为零的情况下，输出端电压会偏离初始静态值（相当于交流信号零点），出现缓慢而不规则的漂移，这种现象称为“零点漂移”(zero drift)。不难理解，在多级放大器中第一级放大器的零点漂移的影响最为严重，因为采用直接耦合方式，第一级的漂移被逐级放大，以致影响整个放大电路的工作。因此，集成运算放大器输入级利用差分放大电路的良好对称性，来抑制零点漂移。
(1)集成电路中的所有元件GRM32NR71C335KC01L同处在一小块硅片上，相互距离非常近，制作时工艺条件相同，因而同一片内的元件参数值具有相同方向的偏差，温度特性基本一致，容易制成两个特性相同的管子或两个阻值相等的电阻，故特别适宜制作差动放大器。
(2)在集成电路中，电阻值一般在几十欧至几十千欧的范围内。大阻值电阻往往外接或用晶体管制成有源负载电阻代替。
(3)集成电路中的电容不能做得太大，大约几十皮法，常用PN结电容构成。这是因为制造一个10 pF的电容所需的硅片面积，约等于10个晶体管所占的面积。所需的大电容，需采用外接方式。至于电感就更难制造。
(4)集成电路中的二极管一般都用三极管构成，常用形式是将基极与集电极短路和射极构成二极管。
综上所述，由于集成电路制造工艺的限制，电容、电感及大电阻常采用外接方式，因此集成运算放大器内部各级之间都采用直接耦合的方式。
直接耦合放大电路具有良好的低频频率特性，可以放大缓慢变化的信号，甚至直流信号，但却存在一个致命的问题，即当温度变化或电路参数等因素稍有变化时，电路的工作点将随之变化，导致在放大嚣输入交流信号为零的情况下，输出端电压会偏离初始静态值（相当于交流信号零点），出现缓慢而不规则的漂移，这种现象称为“零点漂移”(zero drift)。不难理解，在多级放大器中第一级放大器的零点漂移的影响最为严重，因为采用直接耦合方式，第一级的漂移被逐级放大，以致影响整个放大电路的工作。因此，集成运算放大器输入级利用差分放大电路的良好对称性，来抑制零点漂移。
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