(1)按图2-6画好仿真电路.GRM2165C1H270JZ01D

    (2)在基极回路中串人1m\Q（即0.001Q）电阻的作用是取样，称为取样电阻。由于1m,Q电阻的阻值对于三极管的发射结的阻值来说很小，因此可以忽略1m\Q电阻上的压降，认为电压Ⅵ完全加到了三极管的发射结上，此时电路中的电流则为Ⅵ完全作用于三极管的发射结上所产生的电流。当V2变化时，1m,Q,电阻上电压的变化完全可以反映三极管的输入回路中电流随其外加电压变化而变化的特性，即三极管的输入特性。

          
    (3)对图2-6所示电路中的节点3进行直流扫描，可间接得到三极管的输入特性曲线。
    启动Simulate菜单中Analysis下的DC Sweep，后弹出DC Sweep Analysis对话框，设置节点3为输出节点，并设置合适的分析参数如下：
    Sourcel中，Source: vv2; Start Value:0V; Stop Value: 0.8V; Incre-ment:0.001V。
    Output Variables：选节点3的电压，即1mQ电阻上的电压作为输出变量，再点击Plot during simulation。
    最后点击DC Sweep Analysis对话框上的Simulate按钮，可以待到扫描分析结果，各小组记录测试结果。
    (4)图2-6所示为三极管2N2923输入特性的扫描分析结果，其中横坐标表示三极管基射极电压UBE的变化，纵坐标表示1mQ电阻上电压的变化，即三极管的基极电流iB的变化。将纵坐标电压的变化转换为电流的变化（1nV电压对应于1UA电流），即可得到三极管2N2923实际的输入特性曲线。