若在一块本征半导体上，两边掺入GRM155R71H392KA01D不同的杂质，使一边成为P型半导体，另一边成为N型半导体，由于两种半导体的多子不同，其交界面两侧的电子和空穴存在浓度差，会出现多子的扩散运动。N区的自由电子往P区扩散，而P区的空穴往N区扩散，如图1-16所示。扩散的结果是在N区留下带正电的离子（图中用①表示），而P区留下带负电的寓子（图中用O表示），在交界面两侧的区域内，自由电子和空穴因复合而成对消失，形成一个很薄的空间电荷区，这就是PN结，也称为耗尽层或者势垒层。
    如果在P型半导体与N型半导体上各加上一根引线，然后进行封装，便构成一个二极管，所以PN结是二极管最核心的组成部分。

               
    在空间电荷区内，靠N区一侧的是失去了电子的正离子，带正电；靠P区一侧的是得到了多余电子的负离子，带负电，因此产生一个由N区指向P区的内电场E，如图1-16所示。该电场有两方面的作用：一方面阻挡多数载流子的扩散运动；另一方面使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子自由电子向N区漂移。少数载流子在内电场作用下有规则的运动叫做漂移运动。
    在PN结的形成过程中，刚开始时，以扩散运动为主，随着空间电荷区的加宽和内电场的加强，多数载流子运动逐渐减弱，漂移运动逐渐加强，使空间电荷区变窄。而空间电荷区的变窄，又会对扩散运动产生抑制作用。最终，扩散运动与漂移运动会达到动态平衡。此时，空间电荷区的宽度基本稳定下来，扩散电流等于漂移电流，通过PN结的电流为零，PN结处于动态的稳定状态。