在本征激发产生电子空穴对的同时，自由GRM155R71H391KA01D电子在运动中有可能和空穴相遇，重新被共价键束缚起来，电子空穴对消失，这种现象称为“复合”。激发和复合现象是相互矛盾的，最终处于动态平衡时本征激发的电子空穴对很少，所以导致其导电能力非常弱，按近绝缘体，因此一般不直接使用本征半导体。半导体材料具有两个非常重要的特性：(1)热敏和光敏特性（当温度升高或者光照增强时，其导电能力大大增强）；(2)掺杂特性（在纯净的半导体中掺人少量的杂质后，半导体的导电能力大大增强），所以常用的半导体材料实际上都是经过掺杂后形成的杂质半导体。按照掺人杂质的不同，杂质半导体可分为N型和P型两种。
    1．N型半导体
    在纯净的硅（或锗）晶体中，掺入少量磷（或其他五价元素，如砷），由于掺入的元素数量较少，因此整个晶体结构基本上保持不变，只是某些位置上的硅原子被磷原子替代。磷原子五个价电子中的四个与硅原子形成共价键结构，而多余一个价电子处于共价键之外，很容易挣脱原子核的束缚成为自由电子。这样，半导体中自由电子数目明显增加，大大提高了半导体的导电性能。同时空穴数量远少于自由电子数量，故自由电子被称为多数载流子（简称多子），空穴被称为少数载流子（简称少子）。这种杂质半导体主要以电子导电为主，称为电子半导项目1设计与制作线性集成直流稳压电源体，简称N型半导体，如图1-15(a)所示。
   2．P型半导体
   在纯净的硅（或锗）晶体中，掺人少量硼（或其他三价元素，如铝），硼原子与周围的硅原子形成共价键时，会因缺少一个价电子而在共价键中出现一个空位，这个空位很容易被相邻的价电子填补，而使失去价电子的共价键出现一个空穴。这样，在杂质半导体中出现大量空穴，空穴被称为多数载流子，自由电子被称为少数载流子。这种杂质半导体主要靠空穴导电，称为空穴半导体，简称P型半导体，如图1-15(b)所示。

    必须指出的是，不论是N型半导体还是P型半导体，虽然都是一种载流子占多数，但整个晶体中正负电荷数量相等，呈现电中性。