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模拟开关电路的性能

发布时间:2012/6/1 18:46:40 访问次数:758

    图13.11是测定FET导通TPS54672PWP电阻RON的电路。输出端接负载电阻RL,从输入端输入信号vi。由于RON与RL形成分压电路,就可以从输出信号可。的电平降低部分计算RON。但是像用该电路测定JFET模拟开关的场合,为了使流过开关的信号电流不大于IDSS,在测定时必须设定输入信号的电平使得流过FET的电流小于IDSS(如果是采用MOSFET的电路,则没有这个必要)。
    照片13.5是设定RL-360Q,Vi一200mVP-PlkHz)时的vi和口。的波形。由于VO是跳的1/2(lOOmVP-P),所以RON—RL。因此,这个电路的导通电阻就是RON=360Q,。设计指标中要求小于lkQ,所以充分满足设计的要求。
    顺便指出,由于gm的倒数就是RON,所以可以由RON求得g。,得到的值约为3mS(≈l/360tQ,)。可以看出这个值与2SK330的数据表提供的标准值(一4mS)基本一致。

                

    图13.11是测定FET导通TPS54672PWP电阻RON的电路。输出端接负载电阻RL,从输入端输入信号vi。由于RON与RL形成分压电路,就可以从输出信号可。的电平降低部分计算RON。但是像用该电路测定JFET模拟开关的场合,为了使流过开关的信号电流不大于IDSS,在测定时必须设定输入信号的电平使得流过FET的电流小于IDSS(如果是采用MOSFET的电路,则没有这个必要)。
    照片13.5是设定RL-360Q,Vi一200mVP-PlkHz)时的vi和口。的波形。由于VO是跳的1/2(lOOmVP-P),所以RON—RL。因此,这个电路的导通电阻就是RON=360Q,。设计指标中要求小于lkQ,所以充分满足设计的要求。
    顺便指出,由于gm的倒数就是RON,所以可以由RON求得g。,得到的值约为3mS(≈l/360tQ,)。可以看出这个值与2SK330的数据表提供的标准值(一4mS)基本一致。

                

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6-1模拟开关电路的性能

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