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CT81型军用高压瓷介电容器

发布时间:2012/3/19 19:30:15 访问次数:923

    CT81型军用高压瓷介电容器 5SDA05P3837    

    CT81型军用高匝瓷介电容器采用阻燃材料包封,引线为单向引出,适合印刷电路板安装,适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。其外形如图4-77所示。
    CT81型军用高压瓷介电容器主要特性参数如下:

                                   

      ①电容器的标称容量、额定电压与外形尺寸见表4-118。
    ②电容器试验电压:一般为1.5倍额定电压(+500V),外包封层耐压为1.5kV(直流)。
    ③绝缘电阻:≥l×lOlI O,。
    ④损耗角正切:≤200×10。4。
    ⑤使用环境温度:2X1温度特性,- 55℃~+125℃;2X2、2D2、2E2温度特性,- 55℃~+85℃:2X3、2D3、2DE温度特性,- 40℃~+85℃。

                

              

                   

    CT81型军用高压瓷介电容器 5SDA05P3837    

    CT81型军用高匝瓷介电容器采用阻燃材料包封,引线为单向引出,适合印刷电路板安装,适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。其外形如图4-77所示。
    CT81型军用高压瓷介电容器主要特性参数如下:

                                   

      ①电容器的标称容量、额定电压与外形尺寸见表4-118。
    ②电容器试验电压:一般为1.5倍额定电压(+500V),外包封层耐压为1.5kV(直流)。
    ③绝缘电阻:≥l×lOlI O,。
    ④损耗角正切:≤200×10。4。
    ⑤使用环境温度:2X1温度特性,- 55℃~+125℃;2X2、2D2、2E2温度特性,- 55℃~+85℃:2X3、2D3、2DE温度特性,- 40℃~+85℃。

                

              

                   

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