场效应管基础知识
发布时间:2012/1/20 21:55:49 访问次数:743
场效应晶体管（Field Effect Transistor）简称场效应管，缩写FET。
场效应管是一种半导体放大器件，它是20世纪60年代后发展起来的一种器件。
场效应管不仅具有晶体管的体积小、省电、耐用等优点，更具有输入阻
抗很高( 108～l09Q)、噪声小、热稳定性好、功耗低、动态范围大、抗辐
射能力强、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，这种场
效应管的一些特性与电子管相似。
场效应晶体管（Field Effect Transistor）简称场效应管，缩写FET。
场效应管是一种半导体放大器件，它是20世纪60年代后发展起来的一种器件。
场效应管不仅具有晶体管的体积小、省电、耐用等优点，更具有输入阻
抗很高( 108～l09Q)、噪声小、热稳定性好、功耗低、动态范围大、抗辐
射能力强、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，这种场
效应管的一些特性与电子管相似。
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