在驱动马达的电子装置不断地降低尺寸及价格的今日，电流传感器对于小尺寸、低价位、高效能、不受噪声影响的需求便明显的增加。过去设计工程师通常有三种电流测量组件的选择：分流器(Shunt)、比流器（CT）及以霍尔效应（Hall effect）原理为基础的传感器。分流器(Shunt)的工作原理是欧姆定理（Ohm's law），比流器和以霍尔效应原理为基础的传感器。它们的工作原理则是安培定理（Ampere's law）。每一种方法都有它们之间的取舍。分流器(Shunt)的方式价格较低、并且可以测量直流及交流电流，但是这种测量方式增加电路压降，而且这种方式无法提供驱动电路与传感器之间的隔离。比流器也是低价的传感器，它同时也提供了驱动电路与传感器之间的隔离，但只能测量交流电流。以霍尔效应原理为基础的传感器不但可以用于开回路或闭回路的测量方式，而且也提供了驱动电路与传感器之间的隔离，同时它的操作频率能够从直流到交流200KHz的高频，但是在价格、尺寸、线性及温度特性却有所限制。而现在，一种利用磁阻的量测技术加强了霍尔效应传感器的高精确度，同时也由于不像霍尔效应传感器需要磁性铁心，因此在尺寸上也有相当大地缩减。

    磁阻器（Magnetoresistor）

    磁阻（MR）式一种电阻值会随磁场变化而变化的二端组件。磁阻效应早在130年前就已经被发现；然而，它只有在最近30年因微电子薄膜技术的进步而被实际的使用。几乎每一种导电材料都会展现一些磁阻。然而，对于高导磁合金，磁阻效应特别大，如镍铁合金和其它的铁磁材料。磁阻组件对磁场非常的敏感，甚至超过霍尔效应传感器。超强磁阻（GMR）是一种灵敏度比标准磁阻器更高的装置，其产品应用范围从虚拟实境位置感应器到硬盘的读写磁头。磁阻和超强磁阻组件的磁场和电阻为拋物线的变化关系，因此磁阻器不能够侦测磁场极性。磁阻器也有一些其它的缺点，包括有限的线性范围，不良的温度特性（ 2500 ppm/o C在典型的情况下），不同的装置有不同范围的灵敏度，磁性记忆和高价位。这些缺点使得电流传感器很少使用磁阻。

    电流传感器新技术

         近来磁阻技术的发展与突破能将磁阻的缺点最小化并利用在高灵敏度的设备。经由摆设四个高度的对称磁阻组件于一个如惠斯登电桥（Wheatstone  bridge）

之结构，可以消除温度上灵敏度的相依性和偏移的变化性。个别的磁阻组件能然随温度而变化。由于他们的变化全部在相同的情况，使得这惠斯登电桥产生一个净值为零的偏差输出。惠斯登电桥结构所增加的优点是不受外在均匀磁场的干扰，各别的磁阻装置会感应到磁场和其变化，但惠斯登电桥的输出仍然保持不变。对测量一个有干扰磁场环境下的小磁场梯度时，这显非常地重要。由此事实，结合数个高灵敏度的磁阻装置，则可以制造出不需铁心的电流传感器。以霍尔传感器为基础的电流传感器之磁性铁心，需要增加磁通密度及遮蔽霍尔传感器外部的磁场。这是霍尔传感器灵敏度较低必须增加这些磁通密度。而磁阻式的设计是高灵敏度且不受外在磁场的影响，因此不需要磁性铁心。使用磁性铁心有一些缺点：昂贵、体积大、增加非线性、残余磁性、且因为涡流热效应的因素限制了频率响应范围。排除磁性铁心，则这些缺点亦被排除。图1为电流传感器里面的磁阻惠斯登电桥的
          
    典型的磁阻装置组件有限的线性区域和无方向性可由一个叫Barbepole biasing的程序来解决之。" Barberpole biasing "如此命名是因为磁阻上的传导带之形状而称的。" Barberpole biasing " 的工作是藉由改变流经磁阻装置的电流方向而不是改变其组件的磁性方向。磁化场角度的改变是沿拋物线向下移动操作区，来提供线性区域和磁阻极性的灵敏度。如果" Barber pole biasing "置于 -45度角，其操作点的移动是向另一边拋物线向下的动作（如图2)
              
    
    两个磁阻装置将其Barberpole并置于相对方向，当同时放在相同磁场下，其中一个装置增加电阻时，另一个则减少电阻。”Barberpole  biasing”确实有些缺点，   第一个由于”Barberpole  biasing”带具有传导性质，使磁阻组件的区域部份短路，   而降低它的灵敏度。第二，如果以相反方向放在高磁场下，组件的磁化方向将会转变。这种由于其电阻斜率的转变和磁场有关，致使惠斯登电桥不再正确地运作。置放偏压磁场紧邻着惠斯登电桥来增加顺极方向磁场可以消除这种效应