基本MOSFET放大器的设计
发布时间:2011/12/16 11:11:10 访问次数:2870
图8.29电路是使用2N3797 MOSFET的单级放大器。VT1211我们要评估它是否可以应用在多级放大器中以获得和BJT电路相同的电压增益。
运用图8.30的特性参数表,求出漏极对源极直流电压的最大值和最小值。对D-MOSFET零偏压电路而言,请记得漏极电流等于IDSS。
运用图8.30的特性参数表,求出电压增益的最大值和最小值。
对于不同的FET元件其IDSS值会有很大变化的现象,讨论因而引起的问题,并且推荐能够尽量减少这种问题的解决途径。
对于MOSFET单级放大器的电压增益是由gm确定的现象,讨论因而引发的问题,并且推荐能够尽量减少问题的解决方法。
图8.29电路是使用2N3797 MOSFET的单级放大器。VT1211我们要评估它是否可以应用在多级放大器中以获得和BJT电路相同的电压增益。
运用图8.30的特性参数表,求出漏极对源极直流电压的最大值和最小值。对D-MOSFET零偏压电路而言,请记得漏极电流等于IDSS。
运用图8.30的特性参数表,求出电压增益的最大值和最小值。
对于不同的FET元件其IDSS值会有很大变化的现象,讨论因而引起的问题,并且推荐能够尽量减少这种问题的解决途径。
对于MOSFET单级放大器的电压增益是由gm确定的现象,讨论因而引发的问题,并且推荐能够尽量减少问题的解决方法。
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