图8.13显示N沟道D-MOSFET共源极零偏压电路， X25160ST1交流信号源以电容器耦合到栅极。栅极约为直流OV而源极端接地，所以使得VGS=OV。

                    
    信号电压导致Vgs在零幅度上下变动，Id因此也上下变动，如图8. 14所示。Vgs往负方向变化，导致元件处于耗尽模式，因此L减少。Vgs往正方向变化，导致元件处于增强模式，Id因此增加。请注意，增强模式位在垂直轴VGS=0右侧，耗尽模式位在垂直轴左侧。这个放大器的直流分析比JFET简单一些，因为在VGS=0时ID=IDSS。只要知道ID，分析工作就只剩计算VD。

                
         VD=VDD-IDRD
    交流分析的过程与JFET放大器相同。