电子五极管放大器
发布时间:2011/12/2 9:28:44 访问次数:4097
1.电子五极管的特点
三极管栅极与屏极之间存在极间电容,Q003所以高频特性不好,五极管能够克服三极管的这一缺点。五极管中通过增加帘栅极和抑制栅极,以减小栅极与屏极之间跨路电容的影响,改善高频特性。五极管还有较大的放大系数和较大的内阻,缺点是五极管失真和噪声比三极管大。图5-48所示是五极管放大器。
2.电子五极管抑制栅极电路
电路中的Gl抑制栅极在外电路中与阴极相连,这样的电路可以消除从屏极表面所产生的二次电子发射影响。
由于帘栅极上也有很高的直流电压,这些二次电子会被帘栅极所吸收,这样减小了屏极电流。屏极电压越高,阴极电子轰击屏极的速度越快,二次电子越多,使屏极电流下降量越多,破坏了电子管的屏极电流特性,影响了电子管放大器的线性特性,造成放大信号的失真。
抑制栅极处于屏极与帘栅极之间,将抑制栅极接阴极后,抑制栅极与阴极同电位,这样抑制栅极排斥二次电子,使二次电子再次回到屏极,防止了二次电子被帘栅极所吸引的现象,达到改善屏极电流的目的。所以,五极管电路中将抑制栅极接阴极。
3.电子五极管帘栅极电路
电路中的帘栅极通过帘栅极降压电阻R4接直流电源+V端,使帘栅极上有很高的直流工作电压。同时,帘栅极与地之阀接焱一只帘栅极旁路电容C4。这样的电路对宜流而言帘栅极电压很高,略低予屏极直流电压;对予交流瓜畜,由予C4旁路作用,使帘栅极交流接地。
帘栅极的这种电路减小了屏极与帘栅极之间的电容,改善了电子管的高频特性。屏极、阴极结构为同轴的两个圆筒,两筒之间高度绝缘,这样的结构就是电容器的典型结构,屏极与阴极之间存在电容,这个电容对高频信号有害,所以五极管加入了帘栅极,它位于屏极与阴极之间,而且电路中将帘栅极交流接地,这样可以减小阴极与屏极之间的电容,其原理可以用如图5-49所示电路说明。
由于帘栅极必须对阴极发射的电子吸引和加速,所以帘栅极上要有很高的直流电压。但是,帘栅极对交流而言必须接地,所以在帘栅极与地之间接入帘栅极旁路电容。
4.电子五极管放大器
五极管放大器的电路分析与三极管放大器基本一样,但是注意帘栅极电路,它有一只帘栅极降压电阻和一只帘栅极旁路电容。
交流输入信号经Cl耦合,加到Gl栅极,经放大后从Gl屏极输出,通过输出端耦合电容C3加到后级电路中。
1.电子五极管的特点
三极管栅极与屏极之间存在极间电容,Q003所以高频特性不好,五极管能够克服三极管的这一缺点。五极管中通过增加帘栅极和抑制栅极,以减小栅极与屏极之间跨路电容的影响,改善高频特性。五极管还有较大的放大系数和较大的内阻,缺点是五极管失真和噪声比三极管大。图5-48所示是五极管放大器。
2.电子五极管抑制栅极电路
电路中的Gl抑制栅极在外电路中与阴极相连,这样的电路可以消除从屏极表面所产生的二次电子发射影响。
由于帘栅极上也有很高的直流电压,这些二次电子会被帘栅极所吸收,这样减小了屏极电流。屏极电压越高,阴极电子轰击屏极的速度越快,二次电子越多,使屏极电流下降量越多,破坏了电子管的屏极电流特性,影响了电子管放大器的线性特性,造成放大信号的失真。
抑制栅极处于屏极与帘栅极之间,将抑制栅极接阴极后,抑制栅极与阴极同电位,这样抑制栅极排斥二次电子,使二次电子再次回到屏极,防止了二次电子被帘栅极所吸引的现象,达到改善屏极电流的目的。所以,五极管电路中将抑制栅极接阴极。
3.电子五极管帘栅极电路
电路中的帘栅极通过帘栅极降压电阻R4接直流电源+V端,使帘栅极上有很高的直流工作电压。同时,帘栅极与地之阀接焱一只帘栅极旁路电容C4。这样的电路对宜流而言帘栅极电压很高,略低予屏极直流电压;对予交流瓜畜,由予C4旁路作用,使帘栅极交流接地。
帘栅极的这种电路减小了屏极与帘栅极之间的电容,改善了电子管的高频特性。屏极、阴极结构为同轴的两个圆筒,两筒之间高度绝缘,这样的结构就是电容器的典型结构,屏极与阴极之间存在电容,这个电容对高频信号有害,所以五极管加入了帘栅极,它位于屏极与阴极之间,而且电路中将帘栅极交流接地,这样可以减小阴极与屏极之间的电容,其原理可以用如图5-49所示电路说明。
由于帘栅极必须对阴极发射的电子吸引和加速,所以帘栅极上要有很高的直流电压。但是,帘栅极对交流而言必须接地,所以在帘栅极与地之间接入帘栅极旁路电容。
4.电子五极管放大器
五极管放大器的电路分析与三极管放大器基本一样,但是注意帘栅极电路,它有一只帘栅极降压电阻和一只帘栅极旁路电容。
交流输入信号经Cl耦合,加到Gl栅极,经放大后从Gl屏极输出,通过输出端耦合电容C3加到后级电路中。
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