1．结型场效应管的结构和工作原理
    图5-33是N沟道结型场效应管的结构及工作原理示意图

                 
    从图5-33中可以看出，它使用一块N型半导体， TDA0161在它的上、下各引出一个电极，分别称为漏极D和源极s。在N型半导体两侧，各设一小块P型半导体，将它们连起来作为栅极G。这样，G与S之间、G与D之间各出现了一个PN结。
    三种直流电压偏置情况分析如下。

 
    通过上述分析可知，改变G、S极之间的反向偏置电压，可改变流过沟道的电流，换言之，栅极电压的大小可控制流过漏极的电流的大小。
    以上说明，场效应管是一个电压控制器件，这一点与电子管的特性相同。对于晶体管三极管而言则是电流控制器件，因为它用基极电流去控制集电极电流。

    2．绝缘栅场效应管的结构和工作原理
    图5-34是N沟道绝缘栅场效应管结构示意图。在两个N型区之间再形成一个N型硅薄层，于是形成N型沟道。在N沟道上面加一层绝缘材料二氧化硅，在绝缘层上面加一个铝层电极，作为栅极G。

               
    在G、S极之间加一个电压，那么G极铝层与P型衬底之间如同是以绝缘层为介质的改变G、S极之间的电压大小，可以改变N型沟道的电阻。
    3．MOS场效应管和功率场效应管