单结晶体管
发布时间:2011/11/7 11:13:15 访问次数:1647
1.单结晶体管的结构
单结晶体管又叫双基极二极管,它有三个电极,W27C512P-45称为发射极E,第一基极B1,第二基极B2。因为只有一个PN结,所以又称为单结晶体管。其外形、符号和等效电路如图6-12所示。
图中,发射极箭头指向B1,表示经PN结的电流只流向B1极;RB1表示E与B1之间的等效电阻,它的阻值受E与B.间电压的控制,所以等效为可变电阻。PN结未导通时,RB1为数千欧姆,一旦PN导通,则RB1,下降到几十欧姆。两个基极之间的电阻用RBB表示,即RBB=RBl+RB2,RB1与RBB的比值称为分压比Tl=RB1/RBB,η一般为0.3~0.8。
2.工作原理及伏安特性
如图6 - 12(c)所示,给单结晶体管的两个基极RB1、RB2之间加上一个固定电压UBB,当发射极E开路时,RB1上分得的电压为
UB1=RB1/RB1+RB2·UBB=ηUBB
现给发射极E和第一基极之间加电压UE,极性如图6 - 12(c)所示,且UE从零逐渐增加。
当UE较小时,PN结处于反向偏置,有较小的漏电流IE。随着UE的升高,这个电流逐渐变成一个几十微安的正向漏电流。这一段称为截止区。
当UE增加到UE=ηUBB+UD时,单结晶体管内的PN结导通,发射极电流IE突然增大,把这个突变点称为峰点P。上式表明峰点电压随基极电压改变而改变,实用中应注意这一点。
随着IE的增加,UB1和UE均下降,称为负阻区。
当IE增大到某一数值时,电压下降到最低点,称之为谷点V。此后IE继续增加时,发射极电压UE略有上升,但变化不大,称之为饱和区。
其对应的伏安特性曲线如图6 -13所示。
综上所述,单结管具有以下特点:
①当发射极电压等于峰点电压UP时,单结管导通。导通后,当发射电压减小到UE<UV时,管子由导通变为截止。一般单结管的谷点电压为2~5 V。
②单结管的发射极与第一基极之间的RB1是一个阻值随发射极电流增大而变小的电阻,RB2则是一个与发射极电流无关的电阻。
③不同的单结管有不同的UP和Uv。同一个单结管,若电源电压UBB不同,则它的UP和Uv也有所不同。在触发电路中常选用Uv低一些或凡大一些的单结管。
1.单结晶体管的结构
单结晶体管又叫双基极二极管,它有三个电极,W27C512P-45称为发射极E,第一基极B1,第二基极B2。因为只有一个PN结,所以又称为单结晶体管。其外形、符号和等效电路如图6-12所示。
图中,发射极箭头指向B1,表示经PN结的电流只流向B1极;RB1表示E与B1之间的等效电阻,它的阻值受E与B.间电压的控制,所以等效为可变电阻。PN结未导通时,RB1为数千欧姆,一旦PN导通,则RB1,下降到几十欧姆。两个基极之间的电阻用RBB表示,即RBB=RBl+RB2,RB1与RBB的比值称为分压比Tl=RB1/RBB,η一般为0.3~0.8。
2.工作原理及伏安特性
如图6 - 12(c)所示,给单结晶体管的两个基极RB1、RB2之间加上一个固定电压UBB,当发射极E开路时,RB1上分得的电压为
UB1=RB1/RB1+RB2·UBB=ηUBB
现给发射极E和第一基极之间加电压UE,极性如图6 - 12(c)所示,且UE从零逐渐增加。
当UE较小时,PN结处于反向偏置,有较小的漏电流IE。随着UE的升高,这个电流逐渐变成一个几十微安的正向漏电流。这一段称为截止区。
当UE增加到UE=ηUBB+UD时,单结晶体管内的PN结导通,发射极电流IE突然增大,把这个突变点称为峰点P。上式表明峰点电压随基极电压改变而改变,实用中应注意这一点。
随着IE的增加,UB1和UE均下降,称为负阻区。
当IE增大到某一数值时,电压下降到最低点,称之为谷点V。此后IE继续增加时,发射极电压UE略有上升,但变化不大,称之为饱和区。
其对应的伏安特性曲线如图6 -13所示。
综上所述,单结管具有以下特点:
①当发射极电压等于峰点电压UP时,单结管导通。导通后,当发射电压减小到UE<UV时,管子由导通变为截止。一般单结管的谷点电压为2~5 V。
②单结管的发射极与第一基极之间的RB1是一个阻值随发射极电流增大而变小的电阻,RB2则是一个与发射极电流无关的电阻。
③不同的单结管有不同的UP和Uv。同一个单结管,若电源电压UBB不同,则它的UP和Uv也有所不同。在触发电路中常选用Uv低一些或凡大一些的单结管。
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